[发明专利]不破坏真空的从基座表面移除残留物的原位电浆清除技术

权利要求书

1.一种物理气相沉积(PVD)腔室，包括：

溅射标靶，用于在基板上沉积溅射的材料；

晶座，通常平行于所述溅射标靶且与所述溅射标靶相对地配置，用于支撑所述基板，其中所述晶座在处理位置与清洁位置之间是可移动的；

电浮动沉积环，围绕所述晶座的周围壁；

接地举升梢板，位于所述晶座的下方；

金属连接带，耦接至所述沉积环，用于将沉积于所述沉积环上的金属薄膜与所述接地举升梢板电耦接；以及

接地回路，电耦接于所述金属连接带，当所述晶座位于所述清洁位置时所述回路与所述接地举升梢板接触，并且，当所述晶座位于所述处理位置时所述回路与所述接地举升梢板分隔；

气体供应器，用于将气体导入所述腔室；以及

气体排气装置，用于将气体从所述腔室排出。

2.如权利要求18所述的腔室，还包括：

热挡板，位于所述晶座与所述接地举升梢板之间；以及

架设支架，耦接至所述热挡板，其中所述金属连接带被耦接至所述架设支架的第一端且所述接地回路被耦接至所述架设支架的第二端。

3.如权利要求19所述的腔室，还包括多个陶瓷垫圈，使所述架设支架与所述热挡板电绝缘。

4.一种对物理气相沉积(PVD)腔室进行电浆清洁且不破坏真空的处理套组，包括：

环状沉积环，具有自一顶表面延伸的突出物。

5.如权利要求4所述的处理套组，还包括：

金属连接带，具有用于接受所述沉积环的突出物的孔，其中所述带的一端被暴露于所述突出物径向内侧的所述沉积环的顶部上。

6.一种对物理气相沉积(PVD)腔室进行电浆清洁且不破坏真空的方法，包括：

将基板置于晶座上，所述晶座被配置于所述腔室中且由电浮动沉积环所围绕；

将金属薄膜沉积于所述腔室中的基板与沉积环上；

将沉积于所述沉积环上的金属薄膜接地且不破坏真空；及

使用形成于所述腔室中的电浆从所述腔室移除污染物，且不再次溅射沉积于所述沉积环上的金属薄膜，且不破坏真空。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：在使用所述电浆从所述腔室移除污染物之前从所述晶座移除所述基板。

8.如权利要求6所述的方法，其中将沉积于所述沉积环上的金属薄膜接地的步骤包括：将所述金属薄膜电耦接至接地腔室部件。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述接地腔室部件是举升梢板，所述举升梢板电耦接至所述腔室的主体。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述金属薄膜经由金属连接带而电耦接于所述接地腔室部件，所述带具有暴露于所述沉积环的顶部上的一端。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述金属连接带相对于所述接地腔室部件而移动，使得在处理所述基板时，沉积于所述沉积环上的金属薄膜是电浮动的，以及在使用形成于所述腔室中的电浆从所述腔室移除污染物且不破坏真空时，沉积于所述沉积环上的金属薄膜是接地的。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述金属连接带与所述晶座一起移动。

13.如权利要求6所述的方法，其中将沉积于所述沉积环上的金属薄膜接地的步骤包括：将所述晶座从处理位置移动至清洁位置。

14.如权利要求6所述的方法，还包括：

将所述沉积环在接地与浮动之间电切换，且不破坏真空；及

将另一基板置于所述晶座上，所述晶座由所述腔室中的电浮动沉积环所围绕；及

使用物理沉积处理将金属薄膜沉积于所述基板与所述沉积环上且不破坏真空。

15.如权利要求6所述的方法，其中所述沉积环包括陶瓷材料，而所述金属薄膜包括铝薄膜。