[发明专利]光刻设备和检测器设备无效
| 申请号： | 201080018207.1 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102414622A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | I·尼古拉伊夫;M·维伦斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01J1/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 检测器 | ||
1.一种检测器设备，包括：
检测器，设置有闪烁材料层、设置在闪烁材料上的间隔材料层以及设置在间隔材料上的光谱纯度滤光片层。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述间隔材料层至少20nm厚。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述间隔材料层至少50nm厚。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述间隔材料在材料的50nm内吸收少于50％的EUV辐射。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述间隔材料在材料的100nm内吸收少于50％的EUV辐射。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述间隔材料在闪烁材料的闪烁发射的波长处是基本上透明的。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述间隔材料是硅、氮化硅或二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述光谱纯度滤光片层是锆或铬。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述闪烁材料是Gd2O2S:Tb或YAG:Ce。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述检测器是成像检测器。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述成像检测器是CCD阵列。
12.一种光刻设备，包括：
衬底台，构造用以保持衬底；和
投影系统，配置用以将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上；
其中，所述光刻设备还包括根据权利要求1所述的检测器设备。
13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述检测器设备设置在所述光刻设备的所述衬底台中。
14.一种检测方法，包括步骤：引导EUV辐射通过光谱纯度滤光片层、通过设置在光谱纯度滤光片层下面的间隔材料层并引导所述EUV辐射至闪烁材料层上，然后，使用检测器检测由闪烁材料发射的闪烁辐射。
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