[发明专利]半导体激光器的抗断裂金属化图案

权利要求书

1.一种包括安装在载体衬底上的激光器芯片的半导体激光器，其中：

所述激光器芯片包括一个或多个结晶功能区以及沿通过所述激光器芯片的结晶功能区传播的纵向光轴延伸的波导；

所述激光器芯片还包括金属化表面，所述金属化表面包括形成在所述激光器芯片的结晶功能区之上并基本平行于所述激光器芯片的纵向光轴延伸的金属化图案；

所述激光器芯片的结晶功能区的特征是，包含与所述激光器芯片的金属化表面相交的多个晶格平面的晶格结构；

所述金属化图案包括形成纵向相邻的多对接触焊盘的多个纵向相邻的接触焊盘；以及

所述纵向相邻的多对接触焊盘的相对边缘取向成跨与所述激光器芯片的金属化表面相交的多个晶格平面延伸。

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述金属化图案的接触焊盘占据所述金属化图案的绝大部分。

3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述金属化图案进一步包括基本平行于晶格平面取向的多个导电迹线，所述晶格平面与所述激光器芯片的金属化表面相交。

4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述纵向相邻的多对接触焊盘的附加边缘基本平行于与所述激光器芯片的金属化表面相交的晶格平面取向；以及

基本平行于晶格平面取向的所述附加边缘通过跨所述晶格平面延伸的相对边缘在所述金属化图案中受控。

5.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述金属化图案的接触焊盘受界定显著大于或显著小于90°的棱角的焊盘角落主宰。

6.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片的金属化表面包括金属和非金属部分。

7.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片的结晶功能区包括增益区、相位控制区、波长选择区或其结合。

8.如权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述相邻的多对接触焊盘位于所述激光器芯片的波长选择区内。

9.如权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述相邻的多对接触焊盘位于所述激光器芯片的结晶功能区中的一个内，位于所述激光器芯片的相邻结晶功能区的界面处，或两者兼而有之。

10.如权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片的剩余结晶功能区内的金属化图案受跨基本整个剩余功能区延伸的连续金属化部分控制。

11.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片的晶格结构相对于传播光轴正交地对准。

12.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片的晶格结构相对于传播光轴成角度地不对准。

13.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片包括红外或近红外半导体激光器。

14.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器芯片包括分布式反馈(DFB)激光器、分布式布拉格反射体(DBR)激光器或法布里-珀罗激光器。

15.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器耦合于经频率转换的激光源中的波长转换器件。

16.如权利要求15所述的半导体激光器，其特征在于，所述经频率转换的激光源形成多色激光投影仪的组件。

17.一种包括安装在载体衬底上的激光器芯片的半导体激光器，其中：

所述激光器芯片包括一个或多个结晶功能区以及沿通过所述激光器芯片的结晶功能区传播的纵向光轴延伸的波导；

所述激光器芯片还包括金属化表面，所述金属化表面包括形成在所述激光器芯片的结晶功能区之上并基本平行于所述激光器芯片的纵向光轴延伸的金属化图案；

所述激光器芯片的结晶功能区的特征是，包含与所述激光器芯片的金属化表面相交的多个晶格平面的晶格结构；

所述激光器芯片的金属化平面上的金属化图案包括多个接触焊盘；以及

所述接触焊盘占据所述金属化图案的绝大多数部分，并且在相邻接触焊盘之间的居间间隙跨过与所述激光器芯片的金属化表面相交的多个晶格平面延伸。