[发明专利]用于保持半导体衬底的保持设备

权利要求书

1. 一种用于保持平面的半导体衬底（4）的保持设备，具有

- 载体（1），

- 固定或能固定在载体（1）上的具有背离载体（1）的保持侧（7）的保持体（3），以及

- 至少一个穿透保持体（3）的低压通道（2），该低压通道具有保持侧（7）上的吸收端，其中该保持侧（7）具有由软材料构成的定义的吸收结构（6）。

2. 根据权利要求1所述的保持设备，

其特征在于，

所述吸收结构（6）在整个保持侧（7）上延伸。

3. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述吸收结构（6）具有小于90 Shore-A的肖氏硬度。

4. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述保持体（3）由软材料构成。

5. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述定义的吸收结构（6）具有一个或多个、尤其是主要在保持体（3）和/或半导体衬底的周长方向上分布的轨道（12）。

6. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述吸收结构（6），尤其是相邻轨道（12）的横截面，被构造为齿状的。

7. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

至少一个由凸起（11）和凹陷（10）构成的轨道（12）螺旋形地、尤其是从保持体（3）的中心（Z）出发地分布。

8. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述软材料被构造为导电的。

9. 根据前述权利要求之一所述的保持设备，

其特征在于，

所述保持侧（7）构成保持平面A，并且所述凹陷（10）的侧壁（S1/S2）与保持平面A尤其是等角度地形成角度，尤其是形成处于30o与85o之间、优选处于40o与75o之间的角度W1/W2。

10. 根据权利要求9所述的保持设备，

其特征在于，

所述吸收结构（6）被构造为保持所述半导体衬底（4）的拓扑图（5）。