[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT

权利要求书

1.在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：

提供具有正面和背面的透明衬底；

在衬底的正面上布置不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；

在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层，并在透明栅极电介质层的表面上沉积透明金属氧化物半导体材料层；

在金属氧化物半导体材料层上沉积钝化材料层；

从衬底的背面将部分钝化材料层曝光，并除去钝化材料层的被曝光部分，留下覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域；和

利用对从衬底的背面曝光是不透明的栅极金属作为掩模，在金属氧化物半导体材料层上沉积导电材料，以在沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。

2.权利要求1所述的方法，其中沉积钝化材料层的步骤包括沉积和加工正型光致抗蚀剂层。

3.权利要求2所述的方法，其中沉积钝化材料层的步骤包括沉积和加工作为钝化材料层的可图形化材料。

4.权利要求1所述的方法，其中沉积导电材料的步骤包括使用减成法和加成法之一。

5.权利要求4所述的方法，其中使用减成法沉积导电材料的步骤包括沉积透明导电材料层。

6.权利要求5所述的方法，其中沉积透明导电材料层的步骤包括沉积透明导电金属氧化物、透明薄金属层和透明有机层中的一种。

7.权利要求5所述的方法，其中使用减成法沉积导电材料的步骤包括在透明导电材料层的表面上沉积负型光致抗蚀剂的涂层。

8.权利要求4所述的方法，其中使用加成法沉积导电材料的步骤包括下列的一种：选择性沉积Pt、Pd和Au之一；和包括沉积被包埋在负型光聚合物基质中的导电纳米粒子并曝光和显影该负型光聚合物基质的过程。

9.在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：

提供具有正面和背面的透明衬底；

在衬底的正面上布置不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；

在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层，并在透明栅极电介质层的表面上沉积透明金属氧化物半导体材料层；

在金属氧化物半导体材料层上沉积透明钝化材料层；

在钝化材料层上沉积覆盖栅极金属和周围区域的第一光致抗蚀剂层；

从衬底的背面将部分第一光致抗蚀剂层曝光并显影第一光致抗蚀剂层以除去第一光致抗蚀剂层的被曝光部分，形成第二蚀刻掩模；

利用对从衬底的背面曝光是不透明的第二蚀刻掩模，除去部分钝化材料层，留下覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域，并除去第二蚀刻掩模；和

在透明金属氧化物半导体材料层上方沉积导电材料，并加工该导电材料以在沟道区域的相对侧上提供源极区域和漏极区域。

10.权利要求9所述的方法，其中第一光致抗蚀剂层是正型光致抗蚀剂。

11.权利要求10所述的方法，其中将部分第一光致抗蚀剂层曝光的步骤包括使用不透明栅极金属作为第一自对准掩模。

12.权利要求9所述的方法，其中沉积透明钝化材料层的步骤包括下列的一种：聚合物PMG1和旋涂式玻璃之一的旋涂、喷涂、和狭缝涂布，MgF₂、TaO和SiO₂的热蒸发。

13.权利要求9所述的方法，其中沉积透明金属氧化物半导体材料层的步骤包括沉积下列的一种：ZnO、InO、AlZnO、ZnInO、InAlZnO、InGaZnO、ZnSnO、GaSnO、InGaCuO、InCuO和AlCuO。

14.权利要求9所述的方法，其中除去部分钝化材料层的步骤包括蚀刻该钝化材料层。

15.权利要求9所述的方法，其中沉积导电材料的步骤包括使用减成法和加成法之一。

16.权利要求15所述的方法，其中使用减成法沉积导电材料的步骤包括沉积透明导电材料层。