[发明专利]光纤激光基材处理

权利要求书

1.一种基材处理系统，所述基材处理系统包含：

一个或多个光纤激光器，所述一个或多个光纤激光器产生光脉冲以加热所述半导体基材的表面的一部分达到至少200℃；

其中所述光脉冲包含可选择的脉冲持续时间以及一个或多个光波长；且

其中所述表面的所述部分具有大于10平方毫米的面积。

2.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲促进化学反应，所述化学反应造成在所述半导体基材的表面上形成膜。

3.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲活化所述半导体基材中的掺质。

4.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲退火所述半导体基材。

5.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述一个或多个光纤激光器包含至少一个光纤束激光器。

6.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述脉冲持续时间介于约100ns至约100μs之间。

7.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲通过加热所述半导体基材而改质所述半导体基材。

8.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲通过将原子在所述半导体基材中扩散而改质所述半导体基材。

9.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲的重复速率为可选择的。

10.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述重复速率少于约1MHz。

11.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光脉冲的脉冲形状为可选择的。

12.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述表面的所述部分大于100平方毫米。

13.如权利要求1所述的基材处理系统，进一步包含：

光学高温测量组件，所述光学高温测量组件监控来自所述表面的所述部分、靠近一波长的辐射，所述波长不同于所述一个或多个光纤激光器的所述一个或多个波长。

14.一种基材处理系统，所述基材处理系统包括：

基材支撑件组件，所述基材支撑件组件支撑配置在处理腔室内的半导体基材；

光学组件，所述光学组件包含：

一个或多个光纤激光器，所述一个或多个光纤激光器产生一个或多个波长的光脉冲以加热所述半导体基材的表面的一部分达到至少200℃，其中所述光脉冲的脉冲持续时间为可选择的，且所述表面的所述部分具有大于10平方毫米的面积。

15.如权利要求14所述的基材处理系统，其中所述光学组件一次暴露所述半导体基材的一个部分。

16.如权利要求14所述的基材处理系统，其中所述基材支撑件组件相对于所述一个或多个光纤激光器为能移动的。

17.如权利要求14所述的基材处理系统，其中所述一个或多个光纤激光器相对于所述基材支撑件组件为能移动的。

18.一种处理半导体基材的方法，所述方法包括以下步骤：

选择至少一个光脉冲的脉冲持续时间，所述光脉冲促进表面处理；

用所述至少一个光脉冲的光线将半导体基材的表面的第一部分加热达到至少200℃；

其中所述一个光脉冲的光线包含一个或多个从光纤激光组件的输出端所发射的一个或多个光纤激光波长；且

其中所述表面的所述部分具有大于10平方毫米的面积。

19.如权利要求18所述的方法，进一步包含以下步骤：

移动所述半导体基材；

照射所述半导体基材的所述表面的第二部分。

20.如权利要求18所述的方法，进一步包含以下步骤：

接收来自所述半导体基材的表面的所述第一部分的发射光线；

测定靠近处理监控波长的所述发射光线的强度，其中所述处理监控波长不同于所述一个或多个光纤激光波长。