[发明专利]氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶

权利要求书

1.一种氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚，

所述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，

所述内侧坩埚在内部收纳所述氮化铝原料和所述晶种，并且对所述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，

所述外侧坩埚包覆所述内侧坩埚，且由氮化硼形成。

2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，所述金属的离子半径为所述铝的离子半径的1.3倍以上。

3.根据权利要求2所述的氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，所述金属的离子半径为所述铝的离子半径的1.37倍～1.85倍。

4.根据权利要求3所述的氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，所述内侧坩埚由钼、钨、钽、氮化钼、氮化锆、氮化钨、氮化钽中的至少一种形成。

5.根据权利要求1所述的氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，所述坩埚还具有包覆所述外侧坩埚的石墨坩埚。

6.一种氮化铝单晶，其特征在于，是利用权利要求1所述的氮化铝单晶的制造装置而得到的氮化铝单晶，

所述氮化铝单晶内的碳浓度为100ppm以下。

7.根据权利要求6所述的氮化铝单晶，其特征在于，所述碳浓度为10ppm以下。

8.一种氮化铝单晶的制造方法，其特征在于，利用具备坩埚的氮化铝单晶的制造装置，使氮化铝单晶在晶种上生长，

其中，所述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，所述内侧坩埚在内部收纳氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的所述晶种，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，所述外侧坩埚包覆所述内侧坩埚，且由氮化硼形成，

所述氮化铝单晶的制造方法具有如下工序：

使所述内侧坩埚内成为氮气环境的工序，

加热所述坩埚的工序，和

将所述内侧坩埚内减压的工序。

9.根据权利要求8所述的氮化铝单晶的制造方法，其特征在于，所述内侧坩埚由钼、钨、钽、氮化钼、氮化锆、氮化钨、氮化钽中的至少一种形成。

10.根据权利要求8所述的氮化铝单晶的制造方法，其特征在于，进一步设置包覆所述外侧坩埚的石墨坩埚而进行氮化铝单晶的制造。

11.根据权利要求8所述的氮化铝单晶的制造方法，其特征在于，在加热所述坩埚时，将所述坩埚加热至所述晶种与所述氮化铝原料的温度成为1700～2300℃。