[发明专利]在电解过程中用于控制成核的装置和方法有效
| 申请号： | 201080017030.3 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102396093A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 罗伊E.麦卡利斯特 | 申请（专利权）人： | 麦卡利斯特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M8/16 | 分类号： | H01M8/16 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 11241 | 代理人： | 吴杰 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解 过程 用于 控制 成核 装置 方法 | ||
1.一种电解槽，包括：
盛装容器；
第一电极；
第二电极；
与所述第一电极和所述第二电极电连通的电流源；
与所述第一电极和所述第二电极流体连通的电解液；
气体，其中所述气体在电解过程中形成在所述第一电极处或所述第一电极的附近；以及
隔板；
其中，所述隔板包括所述第一电极，并且所述第一电极包括接近所述电流源的第一导电材料和远离所述电流源的介电材料，以通过基本上分离电子转移和成核的位置来控制所述气体成核的位置。
2.如权利要求1所述的电解槽，其中，所述第一电极进一步包括接近所述介电材料并且远离所述电流源的第二导电材料。
3.如权利要求2所述的电解槽，其中，所述介电材料包括细丝。
4.如权利要求3所述的电解槽，其中，所述介电材料包括掺杂的半导体。
5.如权利要求3所述的电解槽，其中，所述介电材料包括碳、硅、碳或硅的氮化物、或碳化物。
6.如权利要求2所述的电解槽，其中，所述隔板进一步包括微生物，并且其中所述隔板基本上使所述微生物保持在期望的位置。
7.一种电解槽，包括：
盛装容器；
第一电极；
第二电极；
与所述第一电极和所述第二电极电连通的电流源；
与所述第一电极和所述第二电极流体连通的电解液；
气体，其中，所述气体在电解期间形成在所述第一电极处或所述第一电极的附近；以及
隔板；
其中，所述第一电极构造为通过基本上分离电子转移和成核的位置来控制所述气体成核的位置。
8.如权利要求7所述的电解槽，其中，所述第一电极包括轮廓处理以提供增加的表面积。
9.如权利要求8所述的电解槽，其中，所述轮廓处理包括喷砂、滚花或使用催化成核剂电镀。
10.如权利要求8所述的电解槽，其中，所述轮廓处理包括轮廓增强。
11.如权利要求10所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括细丝。
12.如权利要求10所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括金属。
13.如权利要求10所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括掺杂的半导体。
14.如权利要求10所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括碳、硅、碳或硅的氮化物、或碳化物。
15.如权利要求7所述的电解槽，其中，所述隔板包括所述第一电极，并且所述第一电极包括接近所述电流源的第一导电材料和远离所述电流源的介电材料。
16.如权利要求15所述的电解槽，其中，所述第一电极进一步包括接近所述介电材料并且远离所述电流源的第二导电材料。
17.如权利要求7所述的电解槽，其中，所述隔板包括所述第一电极。
18.如权利要求17所述的电解槽，其中，所述隔板进一步包括微生物，并且其中所述隔板基本上使所述微生物保持在期望的位置。
19.一种电解槽，包括：
盛装容器；
第一电极；
第二电极；
与所述第一电极和所述第二电极电连通的电流源；
与所述第一电极和所述第二电极流体连通的电解液；
气体，其中，所述气体在电解期间形成在所述第一电极处或所述第一电极的附近；以及
隔板；
其中所述第一电极包括轮廓增强以通过基本上分离电子转移和成核的位置来控制所述气体成核的位置。
20.如权利要求19所述的电解槽，其中，所述轮廓增强增加所述第一电极的表面积。
21.如权利要求20所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括细丝。
22.如权利要求21所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括金属。
23.如权利要求21所述的电解槽，其中，所述轮廓增强物包括掺杂的半导体。
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