[发明专利]用于适用于半导体制造的硅的坩埚

权利要求书

1.一种用于制造适用于半导体制造的硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚由多个构件构成并且具有至少一个不封闭的接合缝隙。

2.根据权利要求1所述的用于制造适用于半导体制造的硅的坩埚，它由支罩(1)、至少一个底部元件(2)以及以交替的次序的两个侧壁(3)和两个侧壁(4)构成，其中，至少两个侧壁(4)在至少一个边缘处如此地实现，使得它们与所述侧壁(3)形成形状配合的连接，其中，所有的侧壁(3)和(4)对接地安放在所述底部元件上并且因此共同形成空腔(5)，并且所有的底部元件和侧壁与所述支罩处于接触中并由所述支罩保持成形。

3.根据权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(3)和侧壁(4)相应具有相同的形状。

4.根据权利要求1至3中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，至少两个侧壁(4)在至少一个边缘处具有阶梯，所述阶梯抓住在至少一个侧壁(3)的边缘上并且与所述侧壁(3)的边缘形成形状配合。

5.根据权利要求1至4中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(3)和侧壁(4)彼此通过斜口相连接。

6.根据权利要求1至5中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(3)和/或侧壁(4)的边缘这样剪切，使得在由所述侧壁(3)和侧壁(4)形成的角落与所述支罩(1)的角落之间构造有空腔(5)。

7.根据权利要求1至6中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，对接地安放在所述底部元件(2)上的所述侧壁(3)和(4)的面具有对于面法线的这样的角度，即，所述壁元件形成等腰梯形，其中，上部和下部的侧缘彼此平行地伸延并且所述侧缘形成全等角。

8.根据权利要求1至7中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(3)和(4)及所述底部元件(2)在不应用密封胶的情况下接合在一起。

9.根据权利要求1至8中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述两个侧壁(3)和两个侧壁(4)以交替的次序布置，其中，至少两个侧壁(4)在两个相面对的边缘处具有阶梯，所述阶梯相应通过侧壁(3)的边缘相接合并且与所述侧壁(3)的边缘形成形状配合。

10.根据权利要求1至9中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述底部元件(2)由多个底部件构成。

11.根据权利要求1至10中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(3)由多个侧部件(30)构成。

12.根据权利要求1至11中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述侧壁(4)由多个侧部件(40)构成。

13.根据权利要求8至12中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述底部元件(2)或所述侧壁的底部件(20)和/或侧部件(30)和/或侧部件(40)通过对接接头、斜口(50)、底切口(60)或燕尾连接的变型(70)相应彼此相连接。

14.根据权利要求1至13中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所述支罩为石墨坩埚。

15.根据权利要求1至14中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，所有的部件由含氮化物的氮化硅(NSN)制成。

16.根据权利要求1至15中任一项或多项所述的坩埚，其特征在于，对于在从1400℃至1600℃之间的范围中的最大的使用温度，所述接合缝隙具有大约1mm或更小的宽度，有利地0.05mm至0.5mm，尤其0.1mm至0.2mm。

17.一种用于制造根据权利要求1至16中任一项所述的坩埚的方法，其具有以下步骤：

-混合氮化硅粉末与硅粉末及必要时有机粘合剂，以便获得粉末混合物；

-使由粉末混合物制成的生坯成形，所述生坯得到所述侧壁(3)、(4)、底部元件(2)、侧部件(30)、(40)或底部件(20)；

-必要时机加工所述生坯；

-必要时在氮环境中热处理经机加工的所述生坯，其中，所述生坯通过所述硅粉末的氮化被转化成含氮的氮化硅。