[发明专利]用于激光器应用的使用GAN衬底的光学装置结构

权利要求书

1.一种光学装置，包括：

氮化镓衬底构件，具有m面非极性晶体状表面区域，其特征在于，朝着(000-1)具有大约-2度至大约2度以及朝着(11-20)具有小于大约0.5度的取向；

激光条纹区域，被形成为覆盖m面非极性晶体状取向表面区域的一部分，所述激光条纹区域的特征在于基本上平行于c方向的腔体取向，所述激光条纹区域具有第一端和第二端；

第一解理c面刻面，设置于所述激光条纹区域的第一端上；以及

第二解理c面刻面，设置于所述激光条纹区域的第二端上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一解理c刻面基板平行于所述第二解理c刻面。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一解理c刻面包括第一镜面，其特征在于激光划刻区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，从所述氮化镓衬底构件的前侧或后侧通过划刻和折断工艺来提供所述第一镜面。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一镜面包括反射涂层。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，从二氧化硅、二氧化铪和二氧化钛中选择所述反射涂层。

7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一镜面包括抗反射涂层。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二解理m刻面包括第二镜面，其特征在于激光划刻区域。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，通过划刻和折断工艺来提供所述第二镜面。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第二镜面包括反射涂层。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，从二氧化硅、二氧化铪和二氧化钛中选择所述反射涂层。

12.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第二镜面包括抗反射涂层。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，长度的范围从大约100微米至大约2000微米。

14.根据权利要求1所述的装置，进一步包括范围从大约1微米至大约15微米的宽度。

15.根据权利要求1所述的装置，进一步包括自发发出的光，所述自发发出的光垂直于c方向偏振。

16.根据权利要求1所述的装置，进一步包括其特征在于波长范围从大约385nm至大约420nm的自发发出的光。

17.根据权利要求1所述的装置，进一步包括其特征在于波长范围从大约420nm至大约460nm的自发发出的光。

18.根据权利要求1所述的装置，进一步包括其特征在于波长范围从大约460nm至大约500nm的自发发出的光。

19.根据权利要求1所述的装置，进一步包括其特征在于波长范围从大约500nm至大约550nm的自发发出的光。

20.根据权利要求1所述的装置，其中，通过从干蚀刻或湿蚀刻中选择的蚀刻工艺来提供所述激光条纹。

21.根据权利要求1所述的装置，进一步包括覆盖所述氮化镓衬底构件的后侧的n型金属区域和覆盖所述激光条纹的上部的上层p型金属区域。

22.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光条纹包括暴露所述激光条纹的上部的上层介电层。

23.根据权利要求1所述的装置，进一步包括覆盖所述表面区域的n型氮化镓区域、覆盖所述n型氮化镓区域的有源区域、以及覆盖所述有源区域的激光条纹区域。

24.根据权利要求23所述的装置，其中，所述有源区域包括1个至20个量子阱区域，所述1个至20个量子阱区域的特征在于10埃至大约40埃的厚度。

25.根据权利要求23所述的装置，其中，所述有源区域包括1个至20个量子阱区域，所述1个至20个量子阱区域的特征在于40埃至大约80埃的厚度。

26.根据权利要求23所述的装置，其中，所述有源区域包括电子阻挡区域。

27.根据权利要求23所述的装置，其中，所述有源区域的特征在于单独限制异质结构。