[发明专利]检测晶片上的缺陷有效
申请号: | 201080016422.8 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN102396058A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | J·黄;Y·张;S·陈;T·罗;L·高;R·沃林福德 | 申请(专利权)人: | 恪纳腾公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 晶片 缺陷 | ||
优先权要求
本申请要求2009年2月13日提交的标题为“Methods and Systems for Detecting Defects on a Wafer(用于检测晶片上的缺陷的方法和系统)”的美国临时申请No.61/152,477的优先权,其以引用方式被并入,视同在本文中被完全阐述。
背景技术
1.技本领域
本发明总体涉及检测晶片上的缺陷。某些实施方案涉及将检查系统针对晶片产生的原始输出中的各个输出分配到不同部分。
2.相关技术的描述
下面的描述和实例凭借其在这部分内的包含内容而不被承认是现有技术。
使用光学或电子束技术进行的晶片检查是一种用于调整半导体制造工艺、监控工艺变化并且提高半导体工业中的产率的重要技术。随着现代集成电路(IC)的尺寸日益减小以及制造工艺的复杂度增加,检查变得越来越困难。
在对半导体晶片执行的各加工步骤中,将相同的电路图案印刷在晶片上的各管芯(die)中。大多数晶片检查系统利用了这一事实并且使用相对简单的管芯-管芯(die-to-die)比较来检测晶片上的缺陷。然而,各管芯中的印刷电路可以包括沿着x或y方向重复的图案化特征(patterned feature)的许多区域,如,DRAM、SRAM或FLASH的区域。这种类型的区域通常被称作阵列区(剩余的区域被称作随机或逻辑区)。为了实现更好的敏感度,先进的检查系统采用不同策略来检查阵列区和随机或逻辑区。
为了创建用于进行阵列检查的晶片检查工艺,许多当前使用的检查系统需要使用者手动创建所关注区域(ROI)并且在相同ROI中应用用于缺陷检测的同一组参数。然而,出于多种原因,这种创建方法是不利的。例如,当设计规格缩减时,区域限定可能复杂得多并且面积小得多。由于在检查系统的载物台(stage)精确度和分辨率方面存在局限性,因此手动创建ROI将最终变得不可行。另一方面,如果分页标志(page break)之间的距离大于傅立叶滤波可以执行的程度,则将不抑制阵列区中的分页标志。
在另一种方法中,将强度用作划分的特征,以将近似强度的像素分组在一起。然后,对同一组像素(基于强度)应用同一组参数。然而,这种方法还具有多个缺点。例如,当几何特征均匀分散时,可以使用基于强度的划分算法。然而,通常这是不足的。因此,需要基于其他性质进行划分。
因此,将会有利的是,开发出检测晶片上的缺陷的方法和系统,其可以通过利用得知所关注缺陷和噪扰/噪声处于几何上的不同部分中来实现更好的缺陷检测。
发明内容
下面对各种实施方案的描述将不以任何方式理解为限制所附权利要求书的主题。
一个实施方案涉及一种检测晶片上的缺陷的由计算机实现的方法。由计算机实现的方法包括获取由检查系统针对晶片产生的原始输出。由计算机实现的方法还包括识别与所述晶片上形成的图案化特征的一个或更多个几何特性(geometrical characteristic)对应的原始输出的一个或更多个特性。另外,由计算机实现的方法包括基于识别出的所述原始输出的一个或更多个特性,将所述原始输出中的单个输出分配到不同部分,使得与所述不同部分中的各部分对应的所述图案化特征的一个或更多个几何特性是不同的。此外,由计算机实现的方法包括将一个或更多个缺陷检测参数单独分配到所述不同部分。由计算机实现的方法还包括将分配的所述一个或更多个缺陷检测参数应用于被分配到所述不同部分的所述单个输出,由此检测所述晶片上的缺陷。
上述由计算机实现的方法的各步骤可以如本文进一步描述地执行。上述由计算机实现的方法可以包括本文描述的任何其他方法(一个或更多个)的任何其他步骤(一个或更多个)。可以使用本文描述的任何系统执行上述由计算机实现的方法。
另一个实施方案涉及一种计算机可读介质,其包括在计算机系统上可执行的用于实现检测晶片上的缺陷的方法的程序指令。所述方法包括上述由计算机实现的方法的步骤。计算机可读介质可以进一步如本文所述地构造。可以如本文进一步描述地执行所述方法的步骤。另外,可执行程序指令的方法可以包括本文描述的任何其他方法(一个或更多个)的任何其他步骤(一个或更多个)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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