[发明专利]蚀刻剂组合物和方法

权利要求书

1.蚀刻剂组合物，所述组合物包含：

A)提供约0.025重量％至约0.8重量％活性氧的高浓度过一硫酸氢钾；

B)按所述组合物的重量计约0.01％至约30％的B1)有机酸、有机酸的碱金属盐、有机酸的铵盐、或有机酸的均聚物，或B2)四唑或苯的卤盐或硝酸盐，或B3)组分B1)和B2)的混合物；以及

C)按所述组合物的重量计约0％至约97.49％的水。

2.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述高浓度过一硫酸氢钾的含量按所述组合物的重量计为约2.5％至约80％。

3.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述有机酸为水溶性羧酸、水溶性二羧酸、或水溶性三羧酸。

4.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述有机酸选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸和丙烯酸。

5.权利要求1的蚀刻剂组合物，所述组合物还包含任选的辅助氧化剂，所述辅助氧化剂选自铁盐、铜盐、过氧化氢和硝酸。

6.权利要求5的蚀刻剂组合物，其中所述任选的辅助氧化剂为包含Fe3+的铁盐化合物，选自Fe(NO₃)₃、Fe₂(SO₄)₃、NH₄Fe(SO₄)₂、FePO₄和前述各个的水合物，或为铜盐，选自Cu(NO₃)₂、CuSO₄、NH₄CuPO₄和前述各个的水合物。

7.权利要求1的蚀刻剂组合物，所述组合物还包含各向异性蚀刻剂，所述各向异性蚀刻剂选自吡咯烷、吡咯啉、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑、嘧嘧、嘌呤、吡啶、和胺基四唑四苯基盐、取代的盐、三苯唑盐、取代的四唑盐、和取代的苯盐。

8.权利要求1的蚀刻剂组合物，所述组合物还包含腐蚀抑制剂，所述腐蚀抑制剂为有机酸、其碱金属盐、或各向异性蚀刻剂。

9.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物还包含一种或多种组分，所述组分选自表面活性剂、金属离子阻隔剂、腐蚀抑制剂和pH调节剂。

10.蚀刻基板的方法，所述方法包括1)提供基板，所述基板具有在所述基板表面上形成的第一金属薄膜、在所述第一金属薄膜上形成的第二金属薄膜、以及在所述第二金属薄膜上形成的任选的附加金属薄膜，以及2)使所述基板与权利要求1至9的蚀刻剂组合物接触。

11.权利要求10的方法，其中所述第一金属薄膜包含钼或钛，并且所述第二金属薄膜包含铜，并且其中所述基板为硅、玻璃、不锈钢、塑料、或石英。

12.权利要求10的方法，所述方法在步骤1)之后和步骤2)之前还包括在所述第二薄膜上形成光阻材料掩模层，选择性地将所述掩模曝光，烘烤所述基板，并且通过与显影溶液接触显影以形成光阻材料图案。