[发明专利]高输送温度等压槽材料有效
| 申请号: | 201080015886.7 | 申请日: | 2010-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN102365243A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
| 发明(设计)人: | J·J·麦金托什 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号: | C03B17/06 | 分类号: | C03B17/06;C04B35/586 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输送 温度 等压 材料 | ||
1.一种用来制造玻璃或玻璃-陶瓷的等压槽,其包括主体,所述主体具 有适合用于熔合法的结构,所述主体包含满足以下条件的氮化硅耐火材料:
(a)在等压槽的使用过程中与熔融态的玻璃或玻璃-陶瓷接触,
(b)与所述熔融玻璃或熔融玻璃-陶瓷相容,使得所述熔融玻璃或熔融玻 璃-陶瓷与氮化硅耐火材料的接触不会使得成品玻璃或成品玻璃-陶瓷中的 缺陷含量高于0.1个缺陷/磅,以及
(c)在1250℃和1000psi条件下的挠曲蠕变应变速率小于1×10-6/小时, 其中:
(i)所述氮化硅耐火材料使用小于10重量%的一种或多种烧结助剂,在 包含小于0.1的pO2的气氛中以块状形式制造;
(ii)将所述块状形式的氮化硅耐火材料机械加工成所述主体;
(iii)通过以下方式对所述氮化硅耐火材料的机械加工过的块进行处理: 使得所述氮化硅耐火材料的机械加工过的块在足以形成基本仅表现被动氧 化机理的SiO2层的温度下和时间段内,暴露于等于或大于0.1的氧气分压, 所述SiO2层作为保护阻挡层,用来在等压槽的使用过程中防止氮化硅的进 一步氧化。
2.如权利要求1所述的等压槽,其特征在于,所述氧气处理在高于1000 ℃的温度进行。
3.如权利要求1或2所述的等压槽,其特征在于,所述氧气处理进行 至少12小时。
4.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述机械加 工过的氮化硅耐火材料暴露于液相中的氧。
5.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述机械加 工过的氮化硅耐火材料暴露于气相中的氧气。
6.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述机械加 工过的氮化硅耐火材料在已经安装到熔合拉制机中之后暴露于氧气。
7.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述一种或 多种烧结助剂选自:二氧化硅、氧化钇、氧化铝、以及它们的组合。
8.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述块状形 式的氮化硅耐火材料的长度至少为1.5米。
9.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述氮化硅 耐火材料包含至少85重量%的Si3N4。
10.如以上权利要求中任一项所述的等压槽,其特征在于,所述氮化 硅耐火材料包含至少36重量%的N和至少54%的Si。
11.一种用来制造等压槽的方法,所述等压槽具有适于熔合法的构造, 该方法依次包括以下步骤:
(a)提供一个氮化硅耐火材料的块,所述氮化硅耐火材料的块使用小于 10重量%的一种或多种烧结助剂,在包含小于0.1的pO2的气氛中制造;
(b)将所述块机械加工成等压槽的结构;
(c)使得所述机械加工过的块在足以形成基本仅表现被动氧化机理的 SiO2层的温度下和时间段内,暴露于等于或大于0.1的氧气分压,所述SiO2层作为保护阻挡层,用来在等压槽的使用过程中防止氮化硅的进一步氧化。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)中的暴露于 氧气的操作在高于1000℃的温度下进行。
13.如权利要求11或12所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)中的 暴露于氧气的操作进行至少12小时。
14.如权利要求11-13中任一项所述的方法,其特征在于,所述一种或 多种烧结助剂选自:二氧化硅、氧化钇、氧化铝、以及它们的组合。
15.如权利要求11-14中任一项所述的方法,其特征在于,所述氮化硅 耐火材料包含至少36重量%的N和至少54%的Si。
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