[发明专利]集中器型光电(CPV)模块、接收器和子接收器及其形成方法有效
| 申请号: | 201080015860.2 | 申请日: | 2010-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN102388464A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | E·梅纳德;C·鲍威尔;S·伯勒斯;J·卡尔;B·康纳;S·德茨;B·富尔曼;M·梅特尔;M·萨利文 | 申请(专利权)人: | 森普留斯公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;王忠忠 |
| 地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集中器 光电 cpv 模块 接收器 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成集中器型光电接收器的方法,包括:
在基底上形成太阳能电池;
在所述基底上形成自对中透镜支撑件,所述自对中透镜支撑件中具有使所述太阳能电池的光接收表面露出的开口;以及
在所述自对中透镜支撑件上形成与所述太阳能电池的所述光接收表面相对的球面透镜。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成球面透镜包括将所述球面透镜密封于所述自对中透镜支撑件中的所述开口。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述密封所述球面透镜包括在从大约150℃至大约350℃的范围内的温度下对所述球面透镜和所述自对中透镜支撑件进行退火。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述密封所述球面透镜包括在化学惰性环境中对所述球面透镜和所述自对中透镜进行退火。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述化学惰性环境是无氧的。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述化学惰性环境包括氮气和/或氩气。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成球面透镜包括将所述球面透镜气密地密封于所述自对中透镜支撑件中的所述开口。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述形成所述自对中透镜支撑件之前是在所述太阳能电池的所述光接收表面上形成一对电气互连结构;并且其中所述形成所述自对中透镜支撑件包括将所述自对中透镜支撑件沉积到所述一对电气互连结构上。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述自对中透镜支撑件是环形的;并且其中在所述自对中透镜支撑件上形成球面透镜之前是在所述基底上形成围绕所述自对中透镜支撑件的环形密封结构。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述环形密封结构的直径大于所述自对中透镜支撑件的直径;并且其中所述环形密封结构相对于所述自对中透镜支撑件同心地布置。
11.一种形成集中器型光电接收器的方法,包括:
在基底上形成太阳能电池;
在所述基底上形成自对中透镜支撑件,所述自对中透镜支撑件中具有使所述太阳能电池的光接收表面露出的开口;以及
在所述自对中透镜支撑件上形成与所述太阳能电池的所述光接收表面相对的透镜。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述自对中透镜支撑件是环形的;并且其中在所述自对中透镜支撑件上形成透镜之前是在所述基底上形成围绕所述自对中透镜支撑件的环形密封结构。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述形成透镜包括将所述透镜气密地密封于所述自对中透镜支撑件中的所述开口。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述形成透镜包括将所述透镜密封于所述自对中透镜支撑件中的所述开口;并且其中所述密封所述透镜包括在从大约150℃至大约350℃的范围内的温度下对所述透镜和所述自对中透镜支撑件进行退火。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述密封所述透镜包括在无氧环境中对所述透镜和所述自对中透镜支撑件进行退火。
16.一种形成集中器型光电接收器的方法,包括:
在基底上形成太阳能电池;
在所述基底上形成环形透镜支撑件,所述环形透镜支撑件中具有使所述太阳能电池的光接收表面露出的开口;以及
在所述环形透镜支撑件上形成与所述太阳能电池的所述光接收表面相对的透镜。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,在所述形成所述环形透镜支撑件之前是在所述太阳能电池的所述光接收表面上形成一对电气互连结构;并且其中所述形成所述环形透镜支撑件包括将所述环形透镜支撑件沉积到所述一对电气互连结构上。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述形成透镜包括将所述透镜气密地密封于所述环形透镜支撑件中的所述开口。
19.一种集中器型光电接收器,包括:
基底上的太阳能电池;
所述基底上的自对中透镜支撑件,所述自对中透镜支撑件中具有使所述太阳能电池的光接收表面露出的开口;以及
所述自对中透镜支撑件上的球面透镜,所述球面透镜与所述太阳能电池的所述光接收表面相对。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





