[发明专利]增强光和/或激光烧结的缓冲层

权利要求书

1.一种用于在基板上沉积导线的方法，包括：

在所述基板上以图案沉积金属层；

在图案化金属层和所述基板上涂敷具有低热导率的材料层；

在具有所述低热导率的材料层上沉积导电墨膜；以及

烧结所述导电墨膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

穿过具有所述低热导率的材料层形成通孔，由此露出所述图案化金属层的 一部分，其中沉积所述导电墨膜包括将所述导电墨膜沉积到所述通孔中以由此 用所述导电墨膜来涂敷所述图案化金属层的部分，其中涂敷所述图案化金属层 的部分的导电墨膜还被烧结。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，涂敷在所述图案化金属层的部 分上的导电墨膜从烧结耗散的能量不如涂敷在具有所述低热导率的材料层上 的导电墨膜多。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，具有所述低热导率的材料层包 括聚合物。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，具有所述低热导率的材料层包 括聚酰亚胺。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺的厚度为至少50 微米。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述烧结用光烧结装置来执行。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述烧结用激光烧结装置来执 行。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光烧结装置包括波长为 830nm和功率为800mW的固态二极管。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述固态二极管的聚焦光 束尺寸是直径为15微米。

11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺的厚度为至 少5微米。

12.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺的厚度为至 少2.3微米。

13.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基板包括硅。

14.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基板包括陶瓷。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板的热导率大于具 有所述低热导率的材料层的热导率。

16.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述导电墨膜包括铜纳米 颗粒。

17.一种电子电路，包括：

基板；

沉积在所述基板上的金属迹线图案；

涂敷在所述基板和金属迹线图案上的低热导率材料层，所述金属迹线图案 沉积在所述基板上，其中穿过所述低热导率材料层在所述金属迹线图案的部分 上形成通孔；以及

涂敷在所述低热导率材料层上的经烧结导电墨膜，所述低热导率材料层涂 敷在所述基板上，其中在所述金属迹线图案的部分上、在穿过所述低热导率材 料层形成的通孔内涂敷所述经烧结导电墨膜。

18.如权利要求17所述的电子电路，其特征在于，所述基板的热导率大 于具有所述低热导率的材料层的热导率。

19.如权利要求18所述的电子电路，其特征在于，所述低热导率材料层 包括聚酰亚胺。

20.如权利要求19所述的电子电路，其特征在于，所述聚酰亚胺的厚度 为至少50微米。

21.如权利要求19所述的电子电路，其特征在于，所述经烧结导电墨包 括用光烧结装置来烧结的经烧结铜纳米颗粒。

22.如权利要求19所述的电子电路，其特征在于，所述经烧结导电墨包 括用激光烧结装置来烧结的经烧结铜纳米颗粒。

23.如权利要求19所述的电子电路，其特征在于，所述聚酰亚胺的厚度 为至少5微米。