[发明专利]用于投射曝光系统的具有至少一个磁体的致动器、致动器的制造方法、以及具有磁体的投射曝光系统有效
| 申请号: | 201080015703.1 | 申请日: | 2010-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN102388343A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | 阿明.沃伯;诺伯特.穆埃尔伯格;阿尔穆特.恰普;于尔根.费希尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B26/08;H01F7/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 投射 曝光 系统 具有 至少 一个 磁体 致动器 制造 方法 以及 | ||
1.用于微光刻的投射曝光系统,具有至少一个磁体或至少一个致动器,所述致动器包括至少一个磁体(1、22),其特征在于:
所述至少一个磁体被完全包封。
2.如权利要求1所述的投射曝光系统,其特征在于:
提供多个磁体,所有磁体都被完全包封。
3.如前述权利要求中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述磁体被封壳(2、21)壳体和/或涂层包封。
4.如权利要求3所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述涂层对氢扩散具有抵抗。
5.如权利要求3或权利要求4所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述涂层被形成为多层。
6.如权利要求3至5中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述涂层包括来自包括镍、锌和铜的组中的至少一个元素。
7.如权利要求3所述的投射曝光系统,其特征在于:
由来自包括金属、不锈钢、铝和铝合金的组的至少一个组分形成所述封壳(2)。
8.如权利要求3所述的投射曝光系统,其特征在于:
由来自包括半导体材料、硅、硅合金、氧化硅、锗、锗合金和氧化锗的组的至少一个组分形成所述封壳(2)。
9.如权利要求3或权利要求7至8中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述封壳的壁具有若干nm至3mm之间的厚度。
10.如权利要求3或权利要求7所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述封壳的壁具有0.1mm至4mm之间的厚度。
11.如权利要求3或权利要求7至10中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述封壳在所述磁体之外还包括留置的气体体积。
12.如权利要求3或权利要求7或10至11中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述封壳(2)被焊接,其中要被焊接的组件的邻接表面被布置为使得所述邻接表面在所述封壳的内部和外部环境之间不构成直接的连接,其中在所述邻接表面布置焊缝并使要被焊接的组件接触。
13.如前述权利要求中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述磁体(1、22)基于来自包括稀土、钕、镨、镧、铈、稀土与铁和硼的化合物、钕-铁-硼(NdFeB)、镨-铁-硼(PrFeB)、镧-铁-硼(LaFeB)、铈-铁-硼(CeFeB)和钐-钴(SmCo)的组的至少一个组分。
14.如权利要求1至4或8中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述磁体包含在从固态材料通过材料去除而形成的封壳中。
15.如权利要求1至4、8或14中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述磁体包含在通过根据微系统技术的材料图案化技术而制造的封壳中。
16.如权利要求1至4、8或14至15中的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述封壳至少部分是单体组件,或者是与板形致动器部件以材料连续性接合的组件,其中所述封壳被可移动地安装在所述致动器部件中。
17.如权利要求16所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述致动器部件(12)是用于所述磁体的安装板,所述安装板被布置在具有至少一个电线圈的线圈板上,从而流过所述线圈的电流可以改变所述磁体的位置,并且能够致动所述致动器。
18.如权利要求16至权利要求17所述的投射曝光系统,其特征在于:
通过至少一个弹簧条将具有封壳的所述磁体保持在板形致动器部件(12)的凹形中,其中,所述弹簧条在没有连接材料的情况下被单体地连接到或者以材料连续性接合到所述封壳以及所述板形致动器部件的安装板。
19.如前述权利要求的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述磁体是用于反射镜或具有多个微反射镜的微反射镜阵列的微反射镜的致动器的一部分。
20.如前述权利要求的任一项所述的投射曝光系统,其特征在于:
所述投射曝光系统被配置为使得其使用极紫外频谱中的光(EUVL)。
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