[发明专利]幅材基板沉积系统

权利要求书

1.一种幅材基板原子层沉积系统，所述沉积系统包括：

a)至少一个辊，所述至少一个辊沿着第一方向将幅材基板的第一 表面传输经过处理室；和

b)多个处理室，所述多个处理室定位成使得所述至少一个辊沿 着所述第一方向将所述幅材基板的第一表面传输经过所述多个处理 室，所述多个处理室包括：第一前体反应室，所述第一前体反应室将 所述幅材基板的第一表面暴露于第一前体气体的期望的分压力下，由 此在所述幅材基板的第一表面上形成第一层；吹扫室，所述吹扫室利 用吹扫气体吹扫所述幅材基板的第一表面；真空室，所述真空室从所 述幅材基板的第一表面去除气体；和第二前体反应室，所述第二前体 反应室将所述幅材基板的第一表面暴露于第二前体气体的期望的分压 力下，由此在所述幅材基板的第一表面上形成第二层。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述多个处理室是附 装的。

3.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述吹扫室和所述真 空室包括单个室。

4.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述多个处理室中的 每个处理室的一个端部附装到气体歧管。

5.根据权利要求4所述的沉积系统，其中，所述气体歧管联接到 温度控制器，所述温度控制器控制所述多个处理室的温度。

6.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述至少一个辊沿着 第一方向和第二方向两个方向将所述幅材基板的第一表面传输经过所 述多个处理室。

7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述第一前体反应室 和所述第二前体反应室中的至少一个联接到前体气体源和不起反应的 气体源。

8.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述第一前体反应室 和所述第二前体反应室中的至少一个联接到至少两个前体气体源。

9.根据权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括定位在 所述幅材基板附近的加热器，在所述幅材基板传输经过所述第一前体 反应室和所述第二前体反应室中的至少一个时，所述加热器控制所述 幅材基板的温度。

10.根据权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括定位 在所述多个处理室附近的加热器，所述加热器控制所述多个处理室的 温度。

11.根据权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括联接 到所述多个处理室的加热器，所述加热器控制所述多个处理室的温度。

12.根据权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括第二 组多个处理室，所述第二组多个处理室与所述多个处理室相对地定位， 并且定位成使得所述至少一个辊将所述幅材基板的第二表面传输经过 所述第二组多个处理室。

13.根据权利要求12所述的沉积系统，其中，所述第二组多个处 理室包括：将所述幅材基板的第二表面暴露于第一前体气体的期望的 分压力下由此在所述幅材基板的第二表面上形成第一层的第一前体反 应室；利用吹扫气体吹扫所述幅材基板的第二表面的吹扫室；从所述 幅材基板的第二表面去除气体的真空室；和将所述幅材基板的第二表 面暴露于第二前体气体的期望的分压力下由此在所述幅材基板的第二 表面上形成第二层的第二前体反应室。

14.根据权利要求12所述的沉积系统，其中，所述第二组多个处 理室与所述多个处理室相对地定位，并且与所述多个处理室对准。

15.根据权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括第二 组多个处理室，所述第二组多个处理室定位在所述多个处理室附近， 以便使所述至少一个辊将所述幅材基板的第一表面传输经过所述第二 组多个处理室。