[发明专利]光学构件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080015163.7 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102378924A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 桥口慎二;平野一孝;森彬 | 申请（专利权）人： | 斯泰拉化工公司 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学构件，其特征在于，使至少含有氟原子的处理气体与由特定陶瓷形成的光学材料在对应于所述特定陶瓷的条件下接触，由此在所述光学材料的表面的至少一部分区域设置能提高特定波长区域的光的透射率的氟化膜。
2.根据权利要求1所述的光学构件，其中，所述陶瓷是由金属氧化物形成的氧化物系陶瓷。
3.根据权利要求1所述的光学构件，其中，所述陶瓷是由金属氮化物或者金属碳化物形成的非氧化物系陶瓷。
4.根据权利要求2所述的光学构件，其中，所述氧化物系陶瓷是选自MgO、Al2O3、TiO2、BeO、ZrO2、ZnO、Dy2O3、Ho2O3、Lu2O3、Sc2O3、Tm2O3、Yb2O3、Y2O3、SrTiO3、AlLaO3、Y3Al5O12、MgO·Al2O3、YVO4、BaTiO3、掺杂有Nd的Y3Al5O12、掺杂有Ce的LuYSiO5、Bi4Ge3O12、掺杂有Ce的Lu2SiO5、以及掺杂有Ce的Gd2SiO5中的至少任一种。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光学构件，其中，使处理气体与所述光学材料接触时的处理温度在160℃～700℃的范围内，处理时间在1分钟～5小时的范围内。
6.一种光学构件的制造方法，其特征在于，使至少含有氟原子的处理气体与由特定陶瓷形成的光学材料在对应于所述特定陶瓷的条件下接触，由此在所述光学材料的表面的至少一部分区域形成能提高特定波长区域的光的透射率的氟化膜。
7.根据权利要求6所述的光学构件的制造方法，其中，作为所述陶瓷，使用由金属氧化物形成的氧化物系陶瓷。
8.根据权利要求6所述的光学构件的制造方法，其中，作为所述陶瓷，使用由金属氮化物或者金属碳化物形成的非氧化物系陶瓷。
9.根据权利要求7所述的光学构件的制造方法，其中，作为所述氧化物系陶瓷，使用选自MgO、Al2O3、TiO2、BeO、ZrO2、ZnO、Dy2O3、Ho2O3、Lu2O3、Sc2O3、Tm2O3、Yb2O3、Y2O3、SrTiO3、AlLaO3、Y3Al5O12、MgO·Al2O3、YVO4、BaTiO3、掺杂有Nd的Y3Al5O12、掺杂有Ce的LuYSiO5、Bi4Ge3O12、掺杂有Ce的Lu2SiO5、以及掺杂有Ce的Gd2SiO5中的至少任一种。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的光学构件的制造方法，其中，将使处理气体与所述光学材料接触时的处理温度设为160℃～700℃的范围内，将处理时间设为1分钟～5小时的范围内。
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