[发明专利]太阳能电池组件用保护片、太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制造方法有效
申请号: | 201080015133.6 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN102365759A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 高梨誉也;野村秀一 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;B32B3/30;B32B7/02;B32B27/28;C08J7/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 保护 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池组件用保护片、具有该保护片的太阳能电池组 件、以及太阳能电池组件的制造方法。
本申请基于2009年3月30日在日本提出的日本特愿2009-082018号申 请要求优先权,在此援引其内容。
背景技术
作为将太阳的光能转化为电能的装置,太阳能电池组件作为不排放二氧 化碳就可以发电的系统而备受瞩目。对于该太阳能电池组件,除了要求具有 高发电效率之外,同时还要求具有在户外使用时能够耐受长期使用的耐久 性。
太阳能电池组件的主要结构包括:作为光发电元件的太阳能电池单元、 在密闭状态下内包该太阳能电池单元的封装材料、以及保护片。在太阳能电 池组件的受光面侧(前面侧)和其背面侧,分别粘接有前面保护片和背面保护 片,以防止水蒸气浸入到太阳能电池组件内。对于这样的太阳能电池组件用 保护片而言,要求具有优异的水蒸气阻隔性、耐候性,并且要求其与太阳能 电池组件的封装材料的粘接性优异。
作为用来改善太阳能电池组件用保护片的水蒸气阻隔性、耐候性、与封 装材料的粘合性的现有技术,提出了例如专利文献1~3中公开的技术。
专利文献1公开了一种太阳能电池组件用保护层,该太阳能电池组件用 保护层具有由紫外线遮蔽性膜和叠层在其内表面的由玻璃化转变温度为 80℃以上的非晶性环状烯烃共聚物形成的膜构成的叠层体结构,所述紫外线 遮蔽性膜由透明性耐候性树脂形成。专利文献2公开了使用环状烯烃共聚物 的表面保护片、以及隔着粘接剂层在环状烯烃共聚物膜的内表面上叠层PET 膜等树脂膜而得到的表面保护片。
专利文献3公开了一种太阳能电池组件用保护片,其在由环状烯烃共聚 物形成的层的两面具有由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物形成的层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-306948号公报
专利文献2:日本特开2006-165434号公报
专利文献3:日本特开2006-198922号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,就专利文献1~3公开的传统保护片而言,存在以下问题:在通过 层压使保护片和封装材料密合的工序中,由于周围空气的卷入,在封装材料 和保护片之间会残留有气泡。在残留有该空气的情况下,封装材料和保护片 会缓慢地剥离,有时会损害太阳能电池组件整体的功能。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种太阳能电池组件 用保护片,该保护片可抑制气泡的残留,从而能够耐受长期使用。
解决问题的方法
为了实现上述目的,本发明提供一种太阳能电池组件用保护片,其具有: 基体材料片、和叠层在该基体材料片的一侧表面上的热熔接性(熟融着性)片, 所述热熔接性片由热熔接性树脂构成,该热熔接性树脂通过差示扫描量热法 (DSC法)测定的熔点为80℃以上且低于130℃,其中,在所述热熔接性片的 表面具有空气流通性通路。
就本发明的太阳能电池组件用保护片而言,优选所述热熔接性片含有乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA),并且,该热熔接性片中乙酸乙烯酯(VA)的含量 为20质量%以下。
就本发明的太阳能电池组件用保护片而言,可以在所述基体材料片的与 叠层有热熔接性片的一面相反侧的表面上,进一步叠层含氟树脂层。
就本发明的太阳能电池组件用保护片而言,所述基体材料片可以为树脂 片。
此外,本发明提供一种太阳能电池组件,其是在太阳能电池组件的前面 侧和背面侧中的一侧、或前面侧和背面侧这两侧粘接本发明的所述太阳能电 池组件用保护片而构成的。
另外,本发明提供一种太阳能电池组件的制造方法,其包括:使用真空 热压法,将本发明的所述太阳能电池组件用保护片叠层在内包有太阳能电池 单元的封装材料的表面上的工序。
发明的效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的