[发明专利]组态及制造具有沿着源极/漏极区带的带有经裁制袋部的非对称场效应晶体管的半导体结构

权利要求书

1.一种结构，其包括沿着具有掺杂着第一导电类型半导体掺杂物的主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，所述晶体管包括：

所述主体材料的沟道区带；

第一与第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着所述半导体主体的上方表面位于所述半导体主体中、被所述沟道区带横向分离且为和所述第一导体类型相反的第二导体类型，以便与所述主体材料形成个别的pn结；所述主体材料中掺杂程度重于所述主体材料的横向相邻材料的袋部大部分仅沿着所述S/D区带中的所述第一S/D区带延伸并延伸到所述沟道区带中，其实质上向上延伸到所述主体的上方表面，因而让所述沟道区带不对称于所述S/D区带；所述第一导体类型的掺杂物的浓度在各自位置处达到多数个局部最大值，所述各自位置(i)沿着延伸穿过大体上垂直于所述主体的上方表面的所述主体材料的虚拟直线而在所述主体材料中彼此隔开，(ii)大体上横向延伸整个所述袋部，及(iii)实质上与所述第二S/D区带隔开，以便让所述袋部的净掺杂物浓度在所述袋部中彼此隔开的各自位置处达到相同多数个分别对应的局部最大值；

槛极介电层，其叠置在所述沟道区带上方；以及

槛极电极，其叠置在所述沟道区带上方的所述槛极介电层上。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述袋部的所述净掺杂物浓度中的所述多数个局部最大值至少有三个。

3.如权利要求1所述的结构，其中每一个S/D区带皆包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，所述较轻度掺杂的横向S/D延伸区横向接续所述主要S/D部并横向延伸在所述槛极电极的下方，以使得所述沟道区带沿着所述主体的上方表面终止于所述S/D延伸区。

4.如权利要求3所述的结构，其中所述第一与第二S/D区带的所述S/D延伸区分别大部分由所述第二导电类型的第一半导体掺杂物与第二半导体掺杂物来定义，所述第二导电类型的所述第一掺杂物的原子量高于所述第二导电类型的所述第二掺杂物。

5.如权利要求1-4中任一项所述的结构，其中所述第一导电类型的掺杂物浓度在主要地从所述主体的上方表面处沿着所述虚拟直线移到所述第一导电类型的掺杂物浓度中最深的所述局部最大值位置时的变化处于端点最大比例为2.5的范围内。

6.一种结构，其包括沿着具有掺杂着第一导电类型半导体掺杂物的主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，所述晶体管包括：

所述主体材料的沟道区带；

源极和漏极，其沿着所述半导体主体的上方表面位于所述半导体主体中、被所述沟道区带横向分离且为和所述第一导体类型相反的第二导体类型，以便与所述主体材料形成个别的pn结；

所述主体材料中掺杂程度重于所述主体材料的横向相邻材料的袋部沿着所述源极延伸并延伸到所述沟道区带中，其实质上向上延伸到所述主体的上方表面，因而让所述沟道区带不对称于所述源极和漏极；所述第一导电类型的掺杂物的浓度在各自位置处达到多数个局部最大值，所述各自位置(i)沿着延伸穿过大体上垂直于所述主体的上方表面的所述主体材料的虚拟直线而在所述主体材料中彼此隔开，(ii)大体上横向延伸整个所述袋部，及(iii)实质上与所述漏极隔开，以便让所述袋部的净掺杂物浓度在所述袋部中彼此隔开的各自位置处达到相同多数个分别对应的局部最大值；

槛极介电层，其叠置在所述沟道区带上方；以及

槛极电极，其叠置在所述沟道区带上方的所述槛极介电层上。

7.如权利要求6所述的结构，其中所述第一导电类型的掺杂物浓度在主要地从所述主体的上方表面处沿着所述虚拟直线移到所述第一导电类型的掺杂物浓度中最深的所述局部最大值位置时的变化处于端点最大比例为2的范围内。

8.如权利要求6所述的结构，其中相较于所述袋部的所述净掺杂物浓度中的每一个局部最大值，所述源极延伸在所述主体的上方表面下方更深的地方。

9.如权利要求6所述的结构，其中所述袋部的所述净掺杂物浓度中的所述多数个局部最大值至少有三个。

10.如权利要求6所述的结构，其中所述源极与漏极中的一者还包括下方部，所述下方部位于所述源极与漏极中该者的主要部下方，其垂直接续所述主要部且掺杂程度轻于所述主要部。