[发明专利]非电解镀镍的预处理方法有效
| 申请号: | 201080013774.8 | 申请日: | 2010-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN102405306A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | E·泽特尔迈耶 | 申请(专利权)人: | 安美特德国有限公司 |
| 主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吕彩霞;艾尼瓦尔 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电解 预处理 方法 | ||
1.一种非电解镀镍方法,包括以下步骤:
i.用含贵金属离子的组合物与含铜表面的基底接触,然后
ii.用含有机氨基羧酸的组合物与该含铜表面接触;和
iii.在所述处理的含铜表面上非电解镀镍。
2.权利要求1所述的方法,其中所述贵金属离子为钯。
3.上述任一权利要求所述的方法,其中步骤ii.中的预处理组合物进一步包含选自硫酸,盐酸,甲苯磺酸,甲磺酸,甲酸和乙酸的酸。
4.权利要求3所述的方法,其中所述另一种酸的浓度范围为25g/l至150g/l。
5.上述任一权利要求所述的方法,其中所述预处理组合物含至少一种由式1和式2所表示的氨基羧酸:
其中R11,R12,R21和R22独立选自H、线性的或支化的C1-C4烷基;R31,R32,R33,R34和R35独立选自H、苯基、苯甲基、C1-C4烷基,该C1-C4烷基为线性的或支化的,取代的或未取代的,其中取代基选自由-OH,-SH,-NH2,-COOH组成的组;R41和R42独立选自H、线性的或支化的C1-C4烷基、或者合适的反离子。
6.权利要求5所述的方法,其中所述合适的反离子选自Na+、K+、NH4+。
7.上述任一权利要求所述的方法,其中R11,R12,R21和R22独立选自H、甲基和乙基。
8.上述任一权利要求所述的方法,其中R31,R32,R33,R34和R35独立选自由H,甲基,乙基,-CH2OH,-CH2NH2,-CH2COOH,-CH2CH2OH,-CH2CH2NH2,-CH2CH2COOH,-CH2SH,-CH2CH2SH和-CH2CONH2组成的组。
9.上述任一权利要求所述的方法,其中所述有机氨基羧酸选自由丙氨酸,天冬酰胺,天冬氨酸,半胱氨酸,谷氨酸,甘氨酸,异亮氨酸,亮氨酸,赖氨酸,丝氨酸,苯丙氨酸,蛋氨酸,苏氨酸,缬氨酸,N,N-二甲基甘氨酸组成的组。
10.权利要求1所述的方法,其中所述有机氨基羧酸选自由β-丙氨酸,β-亮氨酸,β-异亮氨酸,β-谷氨酰胺,β-谷氨酸,β-蛋氨酸,β-天冬氨酸组成的组。
11.上述任一权利要求所述的方法,其中至少一种氨基羧酸的浓度为0.1g/l至100g/l。
12.上述任一权利要求所述的方法,其中所述铜表面位于印刷电路板基底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安美特德国有限公司,未经安美特德国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080013774.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理





