[发明专利]等离子体处理装置及使用其的非晶硅薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

(a)真空容器；

(b)等离子体生成电极，所述等离子体生成电极设置于所述真 空容器的内部；

(c)基板保持机构，所述基板保持机构用于保持基板，所述基 板位于所述真空容器的内部并与所述等离子体生成电极隔着间隔相 对；

(d)气体排出装置，所述气体排出装置用于将所述真空容器的 内部保持在减压状态，所述气体排出装置开口于气体排出室且与所 述真空容器连接，所述气体排出室位于所述真空容器的内部并形成 于所述等离子体生成电极和所述真空容器的内壁面之间；

(e)电源，所述电源与所述等离子体生成电极连接，向所述等 离子体生成电极供给电力；及

(f)气体导入管，所述气体导入管与所述真空容器连接，用于 将等离子体处理用的原料气体导入到所述真空容器的内部，

其中，

(g)所述等离子体生成电极具有多个气体排出孔，在基板被所 述基板保持机构保持时，所述气体排出孔从与所述基板相对的面贯 通所述等离子体生成电极至所述气体排出室；

(h)与所述气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给 口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出所述原 料气体；

(i)所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从所 述气体供给口排出的所述原料气体的流动方向的延长线与位于所述 气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体排 出室设置于所述等离子体生成电极的内部。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供 给口开口于所述气体排出孔的内壁面。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供 给管及所述气体供给口位于所述气体排出孔的内部。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，设有等离子 体封入电极，在基板被所述基板保持机构保持时，所述等离子体封 入电极以相对于与所述基板相对的所述等离子体生成电极的面大致 平行、并隔着间隔的方式设置，所述等离子体封入电极在与所述等 离子体生成电极的多个气体排出孔相对应的位置上具有贯通孔。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供 给口开口于所述等离子体封入电极的所述贯通孔的内壁面。

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述气体供 给管及所述气体供给口位于所述等离子体封入电极的所述贯通孔的 内部。

8.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子 体封入电极具有等离子体封入电极加热机构，在所述等离子体封入 电极的内部设置有气体缓冲空间。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子 体处理装置中的等离子体处理为化学气相沉积(CVD)。

10.一种非晶硅薄膜的制造方法，所述方法为：使用权利要求1～ 9中任一项所述的等离子体处理装置，利用所述等离子体处理装置中 的所述气体排出装置将所述真空容器内维持在减压状态，从所述气 体导入管导入含有硅烷的原料气体，由所述电源向所述等离子体生 成电极供给用于产生等离子体的电力，利用由所述等离子体生成电 极生成的等离子体分解所述原料气体，在所述基板上形成非晶硅薄 膜。