[发明专利]用特殊离子源装置和以分子离子注入处理有图案化磁畴的HDD(高密度磁盘)

权利要求书

1.一种形成磁基板的方法，所述方法包括：

通过将所述磁基板的磁敏感层的一部分暴露给原子团来改变所述部分的磁性，其中所述原子团具有能量，所述能量选择来改变所述磁性而基本上不改变基板表面的形状。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述磁敏感层的待改变的部分是通过在所述磁敏感层上方形成图案化层来识别的。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述原子团的所述能量选择为注入所述磁敏感层的所述表面。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述原子团包括硼、碳、硅或锗。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述原子团是离子，所述离子具有小于约50keV的平均能量。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述原子团是离子，并且在所述原子团中的原子具有小于约5keV的平均能量。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述原子团选自由硼氢化物离子、硅氢化物离子、锗氢化物离子、碳氢化合物离子、团簇离子、纳米冷凝物离子、上述物质的中性化物、上述物质的组合或上述物质的混合组成的群组，所述硼氢化物离子具有至少10个硼原子，所述硅氢化物离子具有至少10个硅原子，所述锗氢化物离子具有至少10个锗原子，所述碳氢化合物离子具有至少10个碳原子。

8.一种处理基板的方法，所述方法包括：

在结构基板上形成磁敏感层；

在所述磁敏感层上方形成图案化层，以识别处理区和掩模区；

用足以穿透所述图案化层并注入所述磁敏感层的所述处理区的能量将原子团导向所述基板；

在所述基板上方形成保护层；以及

在所述基板上方形成润滑层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述原子团是分子离子、团簇离子或上述物质的中性化物，并且所述保护层和所述润滑层具有小于所述处理区的平均最大宽度的约10倍的总厚度。

10.如权利要求8所述的方法，其中将所述原子团注入到所述处理区使所述处理区的磁敏感性减少了至少50％。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述原子团注入所述处理区使所述基板表面的Ra粗糙度增加了不到1nm。

12.一种用于生产磁存储介质的装置，所述装置包括：

大原子团源；

离子束发生器，所述离子束发生器与所述大原子团源相连，用于从所述大原子团生成大离子；以及

基板支撑体，所述基板支撑体包括多个基板位点，其中所述基板支撑体可相对所述离子束发生器移动，或所述离子束发生器可相对所述基板支撑体移动。

13.如权利要求12所述的装置，所述装置进一步包括中和器，所述中和器设置于所述离子束发生器与所述可移动的基板支撑体之间。

14.一种基板，所述基板具有磁敏感层和钴区域，所述磁敏感层包括可识别的磁畴，所述可识别的磁畴具有不大于约50nm的尺寸，所述钴区域用选自由硼、氮、氧、碳、氢、氟、硅、锗、氖、氩和氙组成的群组中的一或多种元素注入。

15.如权利要求14所述的基板，其中所述基板的表面具有小于约5nm的R_a表面粗糙度。