[发明专利]溅射成膜装置

权利要求书

1.一种溅射成膜装置，包括：

具有导电性的目标保持器；

与所述目标保持器相对而设的具有导电性的基板保持器；

所述目标保持器保持目标，

所述基板保持器保持基板，

所述目标保持器和所述基板保持器被施加电压而进行所述目标的溅射，由此在所述基板上形成含有所述目标的构成元素的绝缘膜，其特征在于，

所述基板保持器具有向着放电空间开口形成的间隙，

所述间隙具有在对所述基板进行溅射成膜中构成所述绝缘膜的绝缘物粒子无法到达且对所述放电空间开放的导电面被确保在所述间隙的内壁的间隙尺寸。

2.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其特征在于，

所述间隙尺寸包括所述间隙的直径或宽度、以及深度，

所述直径或宽度为含有所述目标的构成元素的粒子在所述放电空间内的平均自由行程以下，

所述深度为所述平均自由行程的3倍以上。

3.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其特征在于，

所述目标保持器被施加负电压，所述基板保持器被施加正电压。

4.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其特征在于，

所述放电空间导入有反应性气体，所述目标的构成元素和所述反应性气体的反应物作为所述绝缘膜形成在所述基板上。

5.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其特征在于，

所述基板保持器还包括位于其与所述放电空间相反一侧的与所述间隙相通的气体导入室，以及位于其与所述间隙相反一侧的与所述气体导入室相通的气体导入通路。

6.根据权利要求5所述的溅射成膜装置，其特征在于，

与所述目标的构成元素反应形成所述绝缘膜的反应性气体通过所述气体导入通路被导入所述气体导入室。

7.根据权利要求4或6所述的溅射成膜装置，其特征在于，

所述反应性气体为氧气，所述绝缘膜为所述目标的构成元素的氧化膜。