[发明专利]蚀刻液的处理装置以及处理方法有效
| 申请号: | 201080012806.2 | 申请日: | 2010-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN102356454A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
| 发明(设计)人: | 小森英之;织田信博 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;B01D61/02;B01D61/14;C02F1/44;H01L31/04 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;洪燕 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种蚀刻液的处理装置,是对蚀刻处理硅后的蚀刻液进行循环再利用的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有:
膜分离装置,对来自蚀刻槽的蚀刻液进行膜分离处理的;以及
循环装置,使该膜分离装置的膜透过液在该蚀刻槽循环。
2.如权利要求1所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,
前述膜分离装置具有选择性地去除2价以上的多价离子的纳米过滤膜。
3.如权利要求1所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,
前述膜分离装置具有去除2价以上的多价离子、1价的碱金属离子和氢氧化物离子的纳米过滤膜。
4.如权利要求2或3所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,
前述纳米过滤膜对碱液具有耐性,对70℃为止的温度具有耐性,且截留分子量为150~2000。
5.如权利要求2~4中任一项所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,
前述膜分离装置在纳米过滤膜的前级具有超滤膜。
6.如权利要求1~5中任一项所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有:
浓度测定装置,测定前述膜分离装置的膜透过液中的碱浓度和有机物浓度;
碱添加装置,基于由该测定装置测定的膜透过液中的碱浓度,向膜透过液添加碱;以及
有机物添加装置,基于由该测定装置测定的膜透过液中的有机物浓度,向膜透过液添加有机物。
7.如权利要求6所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有:
稀释水添加装置,根据碱浓度和/或有机物浓度,向膜透过液添加稀释水。
8.如权利要求6或7所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,
测定来自蚀刻槽的蚀刻液或膜分离装置的膜透过液的电导率或电导率与Na离子浓度,并根据该结果控制碱添加装置或有机物添加装置。
9.如权利要求6~8中任一项所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有:
信号输出装置,根据膜分离装置的透过前后的电导率或膜透过液的碱浓度,输出膜交换信号。
10.如权利要求1~9中任一项所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有:
用于调节被供给至前述膜分离装置的蚀刻液的液温T1的液温调节装置和用于调节来自前述膜分离装置的膜透过液的液温T2的液温调节装置中的至少一个液温调节装置。
11.如权利要求10所述的蚀刻液的处理装置,其特征在于,具有;
热交换器,进行从膜分离装置返回至蚀刻槽的液体与从蚀刻槽向膜分离装置流出的液体的热交换。
12.一种蚀刻液的处理方法,其特征在于,
使用权利要求1~11中任一项所述的蚀刻液的处理装置。
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