[发明专利]质构化的硅基板和方法有效
| 申请号: | 201080012384.9 | 申请日: | 2010-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN102356467B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
| 发明(设计)人: | 李承璡;H·S·叶 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王伦伟;李炳爱 |
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 质构化 硅基板 方法 | ||
1.质构化硅基板的方法,所述方法包括a)使所述基板接触包含乙醇酸的蚀刻溶液,b)蚀刻所述基板的表面,从而在所述基板的所述表面中形成裂纹,以及c)移除所述蚀刻溶液以获得质构化的基板。
2.权利要求1的方法,其中所述蚀刻溶液还包含氢氟酸、硝酸、水和表面活性剂中的一种或多种。
3.权利要求1的方法,其中所述蚀刻溶液包含最少5重量%的乙醇酸。
4.权利要求1的方法,所述方法还包括用水或碱性溶液洗涤所述质构化的基板表面,并且干燥。
5.权利要求1的方法,其中所述蚀刻速率为每分钟约0.6至约1.3微米。
6.权利要求1的方法,其中所述蚀刻溶液包含按重量百分比计的下列中的一种:1)约37.4%至约39.2%的氢氟酸(49%浓度的水溶液)、约16.0%至约16.8%的硝酸(70%浓度的水溶液)、约37.4%至约39.2%的水和约4.8%至约9.1%的乙醇酸(70%浓度的水溶液);2)约38.9%至约42.4%的氢氟酸(49%浓度的水溶液)、约16.7%至约18.2%的硝酸(70%浓度的水溶液)、约27.8%至约30.3%的水和约9.1%至约16.7%的乙醇酸(70%浓度的水溶液);3)约21.0%至约26.7%的氢氟酸(49%浓度的水溶液)、约21.0%至约26.7%的硝酸(70%浓度的水溶液)、约29.4%至约37.4%的水和约9.1%至约28.6%的乙醇酸(70%浓度的水溶液);或4)约23.9%至约25.1%的氢氟酸(49%浓度的水溶液)、约23.9%至约25.1%的硝酸(70%浓度的水溶液)、约43.1%至约45.1%的水和约4.8%至约9.1%的乙醇酸(70%浓度的水溶液)。
7.蚀刻溶液,所述溶液包含含量为约4重量%至约40重量%的乙醇酸、氢氟酸、硝酸和水。
8.质构化的硅基板,所述质构化的硅基板包含具有通过使所述硅基板与包含乙醇酸的蚀刻溶液接触而在至少一个表面上产生的多个裂纹的硅基板,所述质构化的硅基板根据权利要求1的方法制备。
9.权利要求15的质构化的基板,其中所述多个裂纹以具有微小变化的连续图案形式分布,所述基板为具有至少2微米厚度的晶片或薄膜形式。
10.权利要求15的质构化的基板,所述基板具有在400平方微米面积中最少60个裂纹的裂纹表面密度和在300至900nm波长处最大30%的光反射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





