[发明专利]太阳能电池电极用膏以及太阳能电池单元无效
申请号: | 201080011825.3 | 申请日: | 2010-12-08 |
公开(公告)号: | CN102349162A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 佐藤奈央;石川和宪;荒川一雄 | 申请(专利权)人: | 横滨橡胶株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 吴京顺;任晓航 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 以及 单元 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池电极用膏以及太阳能电池单元。
背景技术
随着对地球环境问题的关注度日益提高,积极开发着将太阳光等光能转换成电能的太阳能电池的各种各样的结构和构成。其中,根据转换效率、制造成本等的优势,最广泛地应用着利用硅等半导体基板的太阳能电池。
作为形成这种太阳能电池的电极的材料,人们知道的有树脂类膏材料。
例如,在专利文献1中记载有“一种银电极用膏,其特征在于,至少包括银粉末、玻璃粉、树脂以及有机溶剂,并该玻璃粉是用口径为24~100μm的筛子分级的残渣。”
另外,在专利文献2中记载有“一种太阳能电池电极用膏,包括微晶直径为58nm以上的第一银粉末、微晶直径与所述银粉末不同的第二银粉末、玻璃粉、以及树脂粘合剂。”
另外,在专利文献3中记载有“一种太阳能电池受光面电极用膏,包括比表面积为0.20~0.60m2/g的银粒子、玻璃粉、树脂粘合剂、以及稀释剂。”
专利文献
专利文献1:特开2004-146154号公报
专利文献2:特开2007-194581号公报
专利文献3:特开2007-235082号公报
发明内容
但是,利用如专利文献1~3中记载的树脂类膏材料形成电极时,清楚地发现,有时电极自身的体积电阻率(比电阻)变高,且电极截面的高度和宽度之比(高度/宽度)(以下,称之为“高宽比”)小,电极和硅基板的紧密性差。
另外,本发明的发明人清楚地发现,代替专利文献1~3中记载的树脂类导电性膏,应用本申请人提出的“包括氧化银(A)和利用沸腾点为200℃以下的二级脂肪酸所得到的二级脂肪酸银盐(B)的导电性组合物”或者“包括氧化银(A)和具有一个以上羟基的脂肪酸银盐(B)的导电性组合物”等导电性组合物(例如,参照专利第3990712号公报、特开2009-105034号公报等)时,在作为电极而形成的配线上发生断线现象。
因此,本发明的课题在于提供一种能够形成体积电阻率低且高宽比高、且与硅基板的紧密性优良、作为配线形成时不发生断线的电极的太阳能电池电极用膏以及利用该膏的太阳能电池单元。
为了解决上述课题,发明人进行认真的研究,结果发现:相对于由规定式表示的脂肪酸银盐利用规定的粒径和形状的银粉末的太阳能电池电极用膏能够形成体积电阻率低、高宽比高且与硅基板的紧密性优良、作为配线形成时不发生断线的电极,由此完成了本发明。即,本发明提供下述(1)~(4)。
(1)一种太阳能电池电极用膏,包括:银粉(A)、由下述式(I)表示的脂肪酸银盐(B)、溶剂(C),其中,上述银粉(A)为平均粒径为0.5~5μm的球状银粉末,
式(I)中,R1和R2均表示甲基,R3表示氢原子。
(2)根据上述(1)所述的太阳能电池电极用膏,相对于上述银粉(A)100质量份,上述脂肪酸银盐(B)的含有量为1~100质量份。
(3)根据上述(1)或(2)所述的太阳能电池电极用膏,还包括玻璃粉。
(4)一种太阳能电池单元,具有受光面一侧的表面电极、半导体基板以及背面电极,上述表面电极以及/或上述背面电极是利用上述(1)至(3)中的任一项所述的太阳能电池电极用膏而被形成。
如下所示,根据本发明可以提供能够形成体积电阻率低、高宽比高且与硅基板的紧密性优良的电极的太阳能电池电极用膏以及利用该太阳能电池电极用膏的太阳能电池单元。
另外,如果利用本发明的太阳能电池电极用膏,则由于能够抑制断线的发生来形成配线(电极),因此非常有用。
附图说明
图1为表示太阳能电池单元的优选实施方式的一个例子的截面图;
图2为用扫描电子显微镜(SEM)拍摄实施例中使用的银粉(AgC-103、福田金属箔社制造)的照片;
图3为用扫描电子显微镜(SEM)拍摄的比较例中使用的银粉(AgC-2011、福田金属箔社制造)的照片。
附图标号说明
1:太阳能电池单元
2:n层
3:防反射膜
4:表面电极
5:p层
6:背面电极
7:硅基板
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的