[发明专利]太阳能电池的制造方法和太阳能电池无效
| 申请号： | 201080011200.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102349166A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 高滨豪;小野雅义;森博幸;村上洋平 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序A；
从所述一个主面的所述第二区域上跨过所述第一半导体层上方，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序B；
在所述第二半导体层上形成电极层的工序C；
在所述电极层中的与所述第一区域和所述第二区域对应的区域上施加保护膜的工序D；
将所述电极层中的从所述保护膜露出的部分除去的工序E；和
将所述保护膜除去的工序F，其中
在所述工序F中，将所述第二半导体层中的从所述掩模露出的部分的至少一部分与所述保护膜一并除去。
2.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
半导体基板；
在所述半导体基板的一个主面上的第一区域上形成，并具有第一导电型的第一半导体层；
在所述半导体基板的所述一个主面上的第二区域上形成，并具有第二导电型的第二半导体层；
在所述第一区域上形成在所述第一半导体层上的第一电极；和
在所述第二区域上形成在所述第二半导体层上的第二电极，
所述第二半导体层从所述第二区域上跨过所述第一半导体层上方地形成，
所述第二半导体层，在从所述第一电极和所述第二电极露出的部分，具有与所述第二半导体层中的被所述第一电极和所述第二电极覆盖的部分相比厚度小的部分。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第二半导体层的导电型是p型。
4.如权利要求2或3所述的太阳能电池，其特征在于：
所述半导体基板是结晶硅基板。
5.如权利要求2或3所述的太阳能电池，其特征在于：
所述半导体基板具有n型导电型。
6.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第一半导体层和所述第二半导体层由非晶质半导体构成。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
