[发明专利]反熔丝元件

权利要求书

1.一种反熔丝元件，其特征在于，

具备由电介质薄膜与在该电介质薄膜的上下两面形成的电极膜构成的元件主体，

所述电极膜通过在动作电压施加时产生的发热而熔融，使得该电极膜彼此熔接而电连接。

2.根据权利要求1所述的反熔丝元件，其特征在于，

通过所述动作电压施加时产生的发热，使得所述电极膜熔融，并且所述电介质薄膜断开，所述电极膜以将该电介质薄膜卷入那样的方式彼此熔接。

3.根据权利要求1或2所述的反熔丝元件，其特征在于，

向所述熔接后的所述电极膜通入10mA以上的电流。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

所述电极膜由贵金属材料形成。

5.根据权利要求4所述的反熔丝元件，其特征在于，

所述贵金属材料含有Pt以及Au中的至少一方。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

通过由有机材料构成的至少1层以上的保护膜被覆。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

所述元件主体为具有在上下两面上形成了电极膜的2个以上电容产生部的层叠构造。

8.根据权利要求7所述的反熔丝元件，其特征在于，

构成2个以上所述电容产生部中的一个电容产生部的电极膜相对于构成其他电容产生部的电极膜优先熔接。

9.根据权利要求8所述的反熔丝元件，其特征在于，

构成所述一个电容产生部的电介质薄膜的膜厚比构成其他电容产生部的电介质薄膜的膜厚形成得薄。

10.根据权利要求8所述的反熔丝元件，其特征在于，

构成所述一个电容产生部的电介质薄膜与构成所述其他电容产生部的电介质薄膜相比，绝缘电阻低。

11.根据权利要求8所述的反熔丝元件，其特征在于，

构成所述一个电容产生部的电介质薄膜与构成所述其他电容产生部的电介质薄膜相比，以绝缘电阻降低的薄膜形成条件形成。

12.根据权利要求8～11中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

构成所述一个电容产生部的至少一个电极膜的膜厚比构成所述其他电容产生部的至少一个电极膜的膜厚厚。

13.根据权利要求7～12中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

具有3个以上所述电容产生部，引出来自所述电容产生部的电信号的各引出电极与相互不同层的电极膜电连接。

14.根据权利要求9～13中任意一项所述的反熔丝元件，其特征在于，

在所述元件主体的电极膜中最上层的电极膜的表面形成有比所述电极膜电阻低的金属膜。