[发明专利]薄膜太阳能电池组件有效
申请号: | 201080010205.8 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102341916A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 吉河训太;市川满;山本宪治 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 组件 | ||
1.一种薄膜太阳能电池组件,其特征在于,该薄膜太阳能电池组件从光入射侧看,至少依序具有透明电极(2)、第1光电转换单元(3)、中间透明电极层(4)、第2光电转换单元(5)、第3光电转换单元(6)、以及金属电极(7),并且,所述第1~第3光电转换单元电连接而形成单位电池,多个单位电池串联连接而集成化,
所述第1光电转换单元(3)是非晶硅系光电转换单元,所述第3光电转换单元(6)是化合物半导体系光电转换单元,
在各单位电池内,第2光电转换单元(5)和第3光电转换单元(6)串联连接而形成串联元件(10),
所述串联元件(10)介由所述透明电极(2)和所述中间透明电极层(4)与第1光电转换单元(3)并联连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件,其中,
各单位电池内的透明电极(2)与邻接的单位电池内的透明电极(2)通过透明电极分离沟(A)而分离,
各单位电池内的透明电极(2)与邻接的单位电池内的中间透明电极(4)通过第1种连接沟(B)而短路,
各单位电池内的中间透明电极(4)与同一单位电池内的金属电极(7)通过中间电极分离沟(C)而绝缘,
各单位电池内的透明电极(2)与同一单位电池内的金属电极(7)通过第2种连接沟(D)而短路,
各单位电池内的金属电极(7)与邻接的单位电池内的金属电极(7)通过金属电极分离沟(E)而分离,
从而进行各单位电池内的光电转换单元的电连接和多个单位电池的集成。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池组件,其中,在各单位电池中,所述串联元件(10)和所述中间透明电极层(4)的侧面形成有绝缘膜(8)。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其中,作为第1光电转换单元的非晶硅系光电转换单元在光入射侧具有P层,作为第2光电转换单元和第3光电转换单元的化合物半导体系光电转换单元在光入射侧具有N层。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其中,从光入射侧看,在透明绝缘基板(1)上依序具有透明电极(2)、第1光电转换单元(3)、中间透明电极层(4)、第2光电转换单元(5)、第3光电转换单元(6)和金属电极(7)。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其中,从光入射侧的相反侧看,在绝缘基板(1)上依序具有金属电极(7)、第3光电转换单元(6)、第2光电转换单元(5)、中间透明电极层(4)、第1光电转换单元(3)和透明电极(2)。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第3光电转换单元的光吸收层的带隙为1.1eV以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第3光电转换单元含有黄铜矿系化合物半导体。
9.根据权利要求1~4中任一项所述的薄膜太阳能电池组件,其特征在于,所述第2光电转换单元为晶体硅系光电转换单元。
10.一种薄膜太阳能电池组件的制造方法,其特征在于,是制造权利要求5所述的薄膜太阳能电池组件的方法,将作为所述第3光电转换单元的化合物半导体系光电转换单元进行制膜时,从进行制膜的表面侧照射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的