[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201080009924.8 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN102341749A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: C·布朗;田中耕平;加藤浩巳 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/32;H01L27/146
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于:

在有源矩阵基板的像素区域设置有光传感器,

所述光传感器包括:

接收入射光的光检测元件;

向该光传感器供给复位信号的复位信号配线;

向该光传感器供给读出信号的读出信号配线;

存储节点,其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给为止的期间为传感期间,电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化;

根据所述读出信号,将所述存储节点的电位放大的放大元件;和

传感器开关元件,其用于将由所述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线。

2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

所述放大元件是可变电容器。

3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:

所述可变电容器是包括所述读出信号配线、绝缘膜和形成在硅膜的p型半导体区域的MOS电容器。

4.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:

所述可变电容器是包括所述传感器开关元件的栅极电极、绝缘膜和形成在硅膜的n型半导体区域的MOS电容器。

5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

所述放大元件是p沟道薄膜晶体管。

6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于:

在所述p沟道薄膜晶体管中,沟道区域形成在将所述光检测元件和所述存储节点连接的硅膜的宽幅部,该p沟道薄膜晶体管的栅极电极以与所述宽幅部重叠的方式设置。

7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

所述放大元件是n沟道薄膜晶体管。

8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

所述放大元件是在沟道上设置有栅极电极的二极管。

9.如权利要求1~8中任一项所述的显示装置,其特征在于,包括:

遮光膜,其在所述光检测元件,设置在与该光检测元件的光接收面相反的一侧;和

电极,其以与所述遮光膜和所述光检测元件的寄生电容形成串联电容的方式,与所述遮光膜相对设置,

其中,所述电极与所述读出配线电连接。

10.如权利要求1~9中任一项所述的显示装置,其特征在于:

在所述像素区域设置有多个所述光检测元件,

所述多个光检测元件并联连接,

所述放大元件与所述多个光检测元件的末端的光检测元件连接。

11.如权利要求1~10中任一项所述的显示装置,其特征在于:

所述传感器开关元件是三端子开关元件,

所述三端子中的栅极电极与所述存储节点连接,

所述三端子中的剩余的两个端子中的一个端子连接到所述输出配线。

12.如权利要求1~11中任一项所述的显示装置,其特征在于:

还具备所述传感器开关元件的复位用开关元件。

13.如权利要求1~12中任一项所述的显示装置,其特征在于:

所述放大元件,在所述读出信号的低电平电位与高电平电位之间,具有该放大元件的导通/断开发生变换的阈值电位。

14.如权利要求1~13中任一项所述的显示装置,其特征在于,还具备:

与所述有源矩阵基板相对配置的对置基板;和

被夹持在所述有源矩阵基板和对置基板之间的液晶。

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