[发明专利]碳化硅衬底

权利要求书

1.一种碳化硅衬底(81)，其包括：

衬底区域(R1)，所述衬底区域(R1)包括第一单晶衬底(11)，所述第一单晶衬底具有彼此相反的第一正面(F1)和第一背面(B1)、以及连接所述第一正面和所述第一背面的第一侧面(S1)；以及，

支撑部(30)，所述支撑部(30)与所述第一背面相接合；

其中，所述第一单晶衬底的位错密度低于所述支撑部的位错密度，并且所述衬底区域和所述支撑部中的至少一个具有空洞。

2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(81)，其中，

所述支撑部中每单位体积的空洞数目大于所述第一单晶衬底中每单位体积的空洞数目。

3.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(81)，其中，

所述第一单晶衬底具有作为每单位体积的杂质浓度的第一浓度，所述支撑部具有作为每单位体积的杂质浓度的第二浓度，并且所述第二浓度高于所述第一浓度。

4.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(81)，其中，

所述衬底区域包括第二单晶衬底(12)，所述第二单晶衬底(12)具有彼此相反的第二正面(F2)和第二背面(B2)、以及连接所述第二正面和所述第二背面的第二侧面(S2)，并且所述第二背面与所述支撑部相接合。

5.根据权利要求4所述的碳化硅衬底，其中，

所述衬底区域包括被定位在彼此面对的所述第一侧面和所述第二侧面之间的空间部(GP)，并且所述空间部具有部分地填充该空间部的填充部(20)。

6.根据权利要求5所述的碳化硅衬底，其中，

所述第一单晶衬底具有第一孔隙率，所述空间部具有第二孔隙率，并且所述第二孔隙率高于所述第一孔隙率。

7.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(86)，其中，

所述衬底区域包括与所述第一单晶衬底的所述第一正面相接合的第三单晶衬底(41)。

8.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中，

在所述支撑部中的每单位体积的空洞数目为至少10cm^-3。

9.根据权利要求8所述的碳化硅衬底，其中，

所述空洞数目涉及具有至少为1μm³的体积的空洞。

10.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中，

所述第一正面相对于{0001}面具有至少50°且至多65°的偏离角。

11.根据权利要求10所述的碳化硅衬底，其中，

由所述第一正面的偏离取向与所述第一单晶衬底的<1-100>方向所形成的角度至多为5°。

12.根据权利要求11所述的碳化硅衬底，其中，

在所述第一单晶衬底的<1-100>方向上，所述第一正面相对于{03-38}面的偏离角至少为-3°且至多为5°。

13.根据权利要求10所述的碳化硅衬底，其中，

由所述第一正面的偏离取向与所述第一单晶衬底的<11-20>方向所形成的角度至多为5°。

14.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(81)，其中，

通过切片来形成所述第一单晶衬底的所述第一背面(B1)。