[发明专利]反熔丝

权利要求书

1.一种反熔丝，包括：

第一导电区和第二导电区，所述第一导电区和第二导电区具有间隔开的弯曲部分；以及

第一电介质区，所述第一电介质区分离所述间隔开的弯曲部分，从而与所述弯曲部分相结合地形成弯曲的击穿区，所述弯曲的击穿区适于响应于预定施加的编程电压而从基本上非导电状态切换到基本上导电状态。

2.根据权利要求1所述的反熔丝，其中，所述第一导电区和第二导电区是掺杂半导体区域。

3.根据权利要求2所述的反熔丝，其中，所述第二导电区基本上是多晶半导体区域，并且所述第一导电区基本上是单晶半导体区域。

4.根据权利要求2所述的反熔丝，其中，基本上比所述第一电介质区厚的第二电介质区在所述弯曲部分的第一端处与所述第一电介质区相邻。

5.根据权利要求4所述的反熔丝，进一步包括：半导体衬底，其中通过掺杂所述衬底来形成所述第一导电区，并且通过对所述衬底的氧化来形成所述第一电介质区。

6.根据权利要求4所述的反熔丝，其中，所述第二电介质区包括：在所述衬底中的填充腔的电介质。

7.根据权利要求1所述的反熔丝，其中，所述第一电介质区是热生长的氧化物区。

8.根据权利要求6所述的反熔丝，其中，所述第二电介质区包括由化学气相沉积所形成的电介质。

9.根据权利要求8所述的反熔丝，其中，所述第二电介质区包括部分通过热氧化并且部分通过沉积所形成的电介质。

10.一种用于形成反熔丝的方法，包括：

提供具有上表面的衬底；

形成从所述上表面延伸预定距离到所述衬底中的腔；

利用电介质来填充所述腔，所述电介质具有从所述上表面下陷的中心区；

在所述衬底表面的弯曲部分上形成弯曲电介质区，所述弯曲电介质区与所述腔相邻并且朝着所述中心区延伸；以及

沉积导体，所述导体具有覆盖在所述弯曲电介质区上的弯曲部分，从而在所述弯曲电介质区的任一侧上形成击穿区，所述击穿区包括所述导体的弯曲部分和所述衬底的弯曲部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述弯曲电介质区是通过对所述衬底的弯曲部分的氧化来形成的。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述填充步骤包括：将电介质沉积在所述腔中以及所述上表面上方，以及然后去除所述上表面上方的部分所述电介质，以便留下所述腔中的所述电介质的其他部分。

13.根据权利要求13所述的方法，其中，在将所述电介质沉积的步骤之前，对所述腔的暴露表面进行处理，以在其上形成氧化物区。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述弯曲电介质区具有在约1至10纳米范围内的厚度。

15.一种具有第一端子和第二端子的反熔丝，包括：

衬底，所述衬底具有第一表面；

第一导电区，所述第一导电区与和所述第一端子相耦合的所述第一表面相邻；

电介质区，所述电介质区与所述第一导电区相接触；

第二导电区，所述第二导电区具有覆盖在所述电介质区上的第一部分、与所述电介质区间隔开的第二部分、以及与所述第二部分间隔开的第三部分；

第一接触和第二接触，所述第一接触和第二接触分别与所述第二导电区的所述第一部分和所述第三部分并且与所述第二端子欧姆地相耦合；以及

其中，所述第二导体的所述第二部分在所述第二接触与所述电介质区之间提供了比所述第一接触与所述电介质区之间更高的电阻。

16.根据权利要求15所述的电介质，其中，所述电介质区基本上是平面的。

17.根据权利要求15所述的电介质，其中，所述电介质区是弯曲的。

18.根据权利要求17所述的电介质，其中，所述电介质区具有约1至10纳米的厚度。

20.根据权利要求15所述的电介质，其中，所述第二导电区是掺杂的半导体，并且所述第二部分具有比所述第一部分和所述第三部分更低的掺杂。