[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201080009000.8 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN102326270A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 村井章彦;安田正治;岩桥友也;山江和幸 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/10;H01L33/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
LED芯片和安装基板,
所述LED芯片包括:n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极,
所述n-型氮化物半导体层具有第一表面,
所述氮化物发光层设置在所述n-型氮化物半导体层的所述第一表面上,
所述p-型氮化物半导体层设置在所述氮化物发光层上,
所述阳电极从所述p-型氮化物半导体层观察时位于所述氮化物发光层的相反侧,
所述阴电极设置在所述n-型氮化物半导体层的所述第一表面上,
所述安装基板构建为安装所述LED芯片,
所述安装基板具有图案化导体,其通过凸点与所述阴电极接合,并通过凸点与所述阳电极接合,
所述LED芯片包括一个或更多个具有岛状结构的电介质层,
所述电介质层的折射率小于所述p-型氮化物半导体层的折射率,
所述电介质层位于p-型氮化物半导体层和所述阳电极之间,
所述p-型氮化物半导体层具有与所述凸点交叠的第一区域,和
所述电介质层不与所述第一区域交叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中
所述LED芯片还包括透明导电膜和反光导电膜,
所述透明导电膜设置在所述p-型氮化物半导体层和所述阳电极之间,
所述透明导电膜的折射率低于所述p-型氮化物半导体层的折射率,
所述反光导电膜设置于所述透明导电膜和所述阳电极之间,
所述电介质层部分地形成在所述透明导电膜上,
所述电介质层具有岛状结构,和
所述电介质层形成于所述透明导电膜和所述反光导电膜之间。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件,其中
所述第一区域为垂直于所述p-型氮化物半导体层的厚度方向的平面,
所述平面为圆形,
所述第一区域与所述凸点沿所述p-型氮化物半导体层的厚度方向交叠。
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