[发明专利]Cu膜的成膜方法和存储介质

权利要求书

1.一种Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：

在处理容器内收纳基板的工序；

在所述处理容器内，以气相状态导入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中产生的副产物的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压；

将所述处理容器内的压力控制为吸附于基板上的所述副产物进行脱离和扩散的压力的工序；和

使所述气相状态的成膜原料在基板上分解，通过CVD法在基板上沉积Cu，形成Cu膜的工序。

2.如权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作为所述基板，使用在表面具有通过CVD法成膜得到的Ru膜的基板，在该Ru膜上形成Cu膜。

3.如权利要求2所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜是使用Ru₃(CO)₁₂作为成膜原料形成的膜。

4.如权利要求2所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜作为防扩散膜的全部或一部分使用。

5.如权利要求4所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述防扩散膜中，作为所述Ru膜的下层，具有高熔点材料膜。

6.如权利要求5所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述高熔点材料膜由选自Ta、TaN、Ti、W、TiN、WN和氧化锰中的至少一种构成。

7.如权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Cu配位化合物是1价的β-二酮配位化合物。

8.如权利要求7所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Cu配位化合物是六氟乙酰丙酮-三甲基乙烯基硅烷铜(Cu(hfac)TMVS)，所述副产物是六氟乙酰丙酮铜(Cu(hfac)₂)。

9.如权利要求8所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作为所述基板，使用在表面具有通过CVD法成膜得到的Ru膜的基板，使所述处理容器内的压力为20Pa(0.15Torr)以下，在所述Ru膜上形成Cu膜。

10.如权利要求9所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜是使用Ru₃(CO)₁₂作为成膜原料形成的膜。

11.如权利要求9所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述Ru膜作为防扩散膜的全部或一部分使用。

12.如权利要求11所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述防扩散膜中，作为所述Ru膜的下层，具有高熔点材料膜。

13.如权利要求12所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

所述高熔点材料膜由选自Ta、TaN、Ti、W、TiN、WN和氧化锰中的至少一种构成。

14.如权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作为配线材料使用所得到的Cu膜。

15.如权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其特征在于：

作为镀Cu的晶种膜使用所得到的Cu膜。

16.一种存储介质，存储在计算机上运行、用于控制成膜装置的程序，其特征在于：

所述程序在执行时，在计算机中控制所述成膜装置，使其执行成膜方法，所述成膜方法包括：

在处理容器内收纳基板的工序；

在所述处理容器内，以气相状态导入含有Cu配位化合物的成膜原料的工序，其中，成膜中产生的副产物的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压；

将所述处理容器内的压力控制为吸附于基板上的所述副产物进行脱离和扩散的压力的工序；和

使所述气相状态的成膜原料在基板上分解，通过CVD法在基板上沉积Cu，形成Cu膜的工序。