[发明专利]取向碳纳米管集合体的制造装置有效
| 申请号： | 201080007139.9 | 申请日： | 2010-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102307808A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 涩谷明庆;川田敬一;畠贤治;汤村守雄 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 取向 纳米 集合体 制造 装置 | ||
1.一种取向碳纳米管集合体的制造装置，该装置将基材表面上形成的催化剂的周围环境设为还原气体环境，同时加热前述催化剂以及前述还原气体中的至少一方之后，将前述催化剂的周围环境设为原料气体环境，同时加热前述催化剂以及前述原料气体中的至少一方，使取向碳纳米管集合体生长，其特征在于，
暴露在前述还原气体中的装置部件以及暴露在前述原料气体中的装置部件之中，至少有一个装置部件的材质为耐热合金，且该表面经过了溶融镀铝处理。
2.如权利要求1记载的取向碳纳米管集合体的制造装置，其特征在于，具备：
形单元，将前述催化剂的周围环境设为前述还原气体环境，同时对前述催化剂以及前述还原气体中的至少一方进行加热；
生长单元，将前述催化剂的周围环境设为前述原料气体环境，同时对前述催化剂以及前述原料气体中的至少一方进行加热，使前述取向碳纳米管集合体生长；
输运单元，至少将前述基材从前述成形单元输运至前述生长单元。
3.一种取向碳纳米管集合体的制造装置，该装置将基材表面上形成的催化剂的周围环境设为还原气体环境，同时加热前述催化剂以及前述还原气体中的至少一方之后，将前述催化剂的周围环境设为原料气体环境，同时加热前述催化剂以及前述原料气体中的至少一方，使取向碳纳米管集合体生长，其特征在于，
暴露在前述还原气体中的装置部件以及暴露在前述原料气体中的装置部件之中，至少有一个装置部件的材质为耐热合金，且该表面经过研磨处理，其算术平均粗糙度为Ra≤2μm。
4.如权利要求3所记载的取向碳纳米管集合体的制造装置，其特征在于，具备：
形单元，将前述催化剂的周围环境设为前述还原气体环境，同时对前述催化剂以及前述还原气体中的至少一方进行加热；
生长单元，将前述催化剂的周围环境设为前述原料气体环境，同时对前述催化剂以及前述原料气体中的至少一方进行加热，使前述取向碳纳米管集合体生长；
输运单元，至少将前述基材从前述成形单元输运至前述生长单元。
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