[发明专利]发光二极管和发光二极管灯

权利要求书

1.一种发光二极管，是包含pn接合型的发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管，其特征在于，具有：设置于发光二极管的主要的光取出面上的第1和第2电极、以及设置于所述透明基板的和与所述化合物半导体层的接合面相反的一侧的第3电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第3电极是肖特基电极。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第3电极具有对于所述光取出面的发光的反射率为90％以上的反射层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层是银、金、铝、铂或含有它们之中的一种以上的合金。

5.根据权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于，所述第3电极在与所述透明基板接触的面和所述反射层之间具有氧化膜。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述氧化膜是透明导电膜。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电膜是由铟锡氧化物形成的透明导电膜(ITO)。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第3电极在和与所述透明基板接触的面相反的一侧具有连接层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述连接层是熔点低于400℃的共晶金属。

10.根据权利要求8或9所述的发光二极管，其特征在于，所述第3电极在所述反射层和所述连接层之间具有熔点为2000℃以上的高熔点阻隔金属。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述高熔点阻隔金属包含选自钨、钼、钛、铂、铬、钽之中的至少任一种。

12.根据权利要求1～11的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光部包含由组成式(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层。

13.根据权利要求1～12的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第1和第2电极是欧姆电极。

14.根据权利要求1～13的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明基板的材质是GaP。

15.根据权利要求1～14的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明基板的侧面具有：在接近所述化合物半导体层的一侧相对于所述光取出面大致垂直的垂直面、和在远离所述化合物半导体层的一侧相对于所述光取出面向内侧倾斜的倾斜面。

16.根据权利要求1～15的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述化合物半导体层和所述透明基板之间设置有具有比该透明基板高的电阻的高电阻层。

17.一种发光二极管灯，其特征在于，具有权利要求1～16的任一项所述的发光二极管，所述发光二极管的设置于所述发光部的上方的所述第1或第2电极、与所述第3电极大致相同电位地连接。