[发明专利]用于结构化半导体表面的方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种用于结构化半导体表面的方法，具有如下步骤：

-提供第一晶片(1)，其具有结构化表面(11)；

-提供第二半导体晶片(3)；

-将光刻胶(2)施加到第二半导体晶片(3)的外表面上；

-通过将第一晶片(1)的结构化表面(11)压印到光刻胶(2)中将光刻胶(2)的背离第二半导体晶片(3)的表面结构化；

-将结构化方法(6)应用于光刻胶(2)的结构化表面(21)上，其中

-将施加在光刻胶(2)上的结构至少局部转移到第二半导体晶片(3)的外表面(31)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一晶片(1)是半导体晶片(10)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中第一晶片(1)是中间支承体(12a)，该中间支承体由塑料材料形成。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中第一晶片(1)在其最大直径方面与第二半导体晶片(3)的最大直径偏差最多20％。

5.根据权利要求1、2或4所述的方法，其中第一晶片(1)包括由基于氮化物的化合物半导体材料构成的至少一个层。

6.根据权利要求1至5所述的方法，其中第二半导体晶片(3)包括由基于磷化物的化合物半导体材料构成的至少一个层。

7.根据权利要求1至5所述的方法，其中第二半导体晶片(3)包括由基于砷化物的化合物半导体材料构成的至少一个层。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其中结构化方法(6)是干化学刻蚀工艺(61)。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中结构化方法(6)是湿化学刻蚀工艺。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中形成到第二半导体晶片(3)的外表面(31)上的结构棱锥状地构建。

11.根据权利要求10所述的方法，其中对于棱锥状结构(311)，刻蚀深度(t)与宽度(b)的比例适用：0.1＜t/b＜10。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在第二半导体晶片(3)中的刻蚀深度(t)为50nm到200nm。

13.一种半导体芯片(5)，具有：

-半导体本体(52)，其以基于磷化物或砷化物的化合物半导体材料为基础；

-辐射出射面(51)，通过其将在半导体本体(52)中产生的电磁辐射从半导体芯片(5)耦合输出，其中辐射出射面(51)棱锥状地结构化。

14.根据权利要求13所述的半导体芯片(5)，其借助根据权利要求1至11所述的方法来制造。