[发明专利]碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法有效

专利信息
申请号: 201080006915.3 申请日: 2010-02-25
公开(公告)号: CN102308031A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 胜野正和;藤本辰雄;柘植弘志;中林正史 申请(专利权)人: 新日本制铁株式会社
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B23/06;C30B29/36;H01L21/203
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐冰冰;黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 制造 坩埚 以及 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅单晶制造用坩埚,具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖,使上述坩埚容器内的碳化硅原料升华,对安装于上述坩埚盖的籽晶上供给碳化硅的升华气体,在该籽晶上使碳化硅单晶成长,该碳化硅单晶制造用坩埚的特征在于,

在上述坩埚容器和上述坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部,并且在这些坩埚容器及/或坩埚盖的螺纹部上设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽。

2.如权利要求1所述的碳化硅单晶制造用坩埚,其特征在于,

设在上述坩埚容器及/或坩埚盖的螺纹部上的升华气体排出槽形成为,其开口面积从槽出口侧朝向槽入口侧逐渐变化。

3.如权利要求1或2所述的碳化硅单晶制造用坩埚,其特征在于,

设在上述坩埚容器及/或坩埚盖的螺纹部上的升华气体排出槽沿着螺纹部的圆周方向开口,并且其开口宽度的最长部的总计长度是螺纹部外周长的1/4以上9/10以下。

4.一种碳化硅单晶的制造装置,具备坩埚,该坩埚具有收容碳化硅原料的坩埚容器及安装有籽晶的坩埚盖,该碳化硅单晶的制造装置使上述坩埚容器内的碳化硅原料升华,对安装于坩埚盖的籽晶上供给碳化硅的升华气体,在该籽晶上使碳化硅单晶成长,该碳化硅单晶的制造装置的特征在于,

在上述坩埚容器和坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部,并且在这些坩埚容器及/或坩埚盖的螺纹部上设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽,在上述坩埚容器及/或坩埚盖上设有对螺纹部付与相对旋转的螺纹部驱动机构。

5.一种碳化硅单晶的制造方法,其特征在于,

使用权利要求4所述的碳化硅单晶的制造装置,使收容在坩埚容器内的碳化硅原料升华,将该升华气体对安装于坩埚盖的籽晶上供给,在该籽晶上使碳化硅单晶成长;

在碳化硅单晶的成长过程中,一边使升华气体向坩埚外的排出量变化一边使碳化硅单晶成长。

6.如权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法,其特征在于,

控制为,使升华气体向坩埚外的排出量与结晶的成长连动而慢慢增加。

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