[发明专利]交错的Y形多极

权利要求书

1.用于引导离子的设备，包括：

交错的电极组，限定多极离子通道，所述交错的电极组由分离的第一电极组和第二电极组构成，所述第一电极组和所述第二电极组适于分别限定第一离子通道路径和第二离子通道路径；以及

RF电压源，用于将RF电压施加到所述第一电极组和所述第二电极组中的至少一些电极上，所述施加的RF电压被配置有相位和振幅，从而将所述离子径向限制在所述第一离子通道路径和所述第二离子通道路径内。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包括：

多个直流电极；以及

直流电压源，适于沿着所述多个直流电极产生直流电压梯度，使得合成的轴向力能够将一个或多个注入的离子导引至所述第一离子通道路径和/或所述第二离子通道路径内的任一纵向方向上。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述直流电压源被控制以沿着所述多个直流电的长度动态地施加单调增加或减少的电压电平。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极组和所述第二电极组包括提供多极离子通道的配置，所述配置选自：交错形成六极的一对三极、交错形成八极的一对四极、交错形成十二极的一对六极、交错形成十六极的一对八极、与六极交错以提供十极的四极、以及与四极交错以提供十二极的八极。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极组和所述第二电极组包括平滑轮廓的电极。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极组和所述第二电极组进一步包括直电极。

7.如权利要求1所述的设备，其中用于引导离子的所述设备被配置使得所述第一离子通道路径的第一入口端和所述第二离子通道路径的第二入口端分别耦合至第一离子源和第二离子源。

8.如权利要求1所述的设备，其中用于引导离子的所述设备被配置使得所述第一离子通道路径的第一出口端和所述第二离子通道路径的第二出口端分别耦合至第一分析仪和第二分析仪。

9.如权利要求1所述的设备，其中用于引导离子的所述设备被配置使得所述多极离子通道的交错的结合端被耦合至离子源。

10.如权利要求1所述的设备，其中用于引导离子的所述设备被配置使得多极离子通道的交错的结合端被耦合至分析仪。

11.如权利要求7所述的设备，其中所述第一离子源和所述第二离子源包括电喷雾电离源(ESI)、纳电喷雾电离源(NanoESI)、大气压电离源(API)、电子轰击(EI)电离源、化学电离(CI)源，EI/CI组合电离源、表面增强激光解吸/电离(SELDI)、激光解吸电离(LDI)离子源、矩阵辅助激光解吸/电离(MALDI)源中的至少一个离子源。

12.如权利要求9所述的设备，其中所述离子源包括电喷雾电离源(ESI)、纳电喷雾电离源(NanoESI)、大气压电离源(API)、电子轰击(EI)电离源、化学电离(CI)源，EI/CI组合电离源、表面增强激光解吸/电离(SELDI)、激光解吸电离(LDI)离子源、矩阵辅助激光解吸/电离(MALDI)源中的至少一个离子源。

13.如权利要求8所述的设备，其中所述第一分析仪和所述第二分析仪包括离子回旋共振(ICR)、轨道离子阱、傅立叶变换质谱仪(FTMS)、四极杆/正交加速-飞行时间(oa-TOF)、线性离子陷阱-飞行时间(LIT-TOF)、线性离子阱(LIT)-轨道离子阱、四极-离子回旋共振(ICR)、离子阱-离子回旋共振(IT-ICR)、线性离子阱-离轴-飞行时间(LIT-oa-TOF)、或线性离子阱(LIT)-轨道离子阱质量分析仪中的至少一个分析仪。

14.如权利要求10所述的设备，其中所述分析仪包括离子回旋共振(ICR)、轨道离子阱、傅立叶变换质谱仪(FTMS)、四极杆/正交加速-飞行时间(oa-TOF)、线性离子陷阱-飞行时间(LIT-TOF)、线性离子阱(LIT)-轨道离子阱、四极-离子回旋共振(ICR)、离子阱-离子回旋共振(IT-ICR)、线性离子阱-离轴-飞行时间(LIT-oa-TOF)、或线性离子阱(LIT)-轨道离子阱质量分析仪中的至少一个分析仪。