[发明专利]电致发光装置有效
| 申请号: | 201080006760.3 | 申请日: | 2010-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN102308411A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | H.F.博尔纳;C.M.戈尔德曼 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢建云;刘鹏 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
1.一种电致发光装置(10),包括
衬底(40)以及位于衬底(40)之上的衬底电极(20)、对电极(30)和布置在衬底电极(20)和对电极(30)之间的具有至少一个有机电致发光层(50)的电致发光层叠层,以及
封装装置(90),其至少封装该电致发光层叠层,
该电致发光装置(10)包括用于使对电极(30)与电源电学接触的至少一个接触装置(60),
其特征在于
至少一个保护装置(70)布置在衬底电极(20)上,其中
保护装置(70)是不导电的并且至少完全覆盖接触装置(60)下方的区域。
2.根据权利要求1的电致发光装置(10),其特征在于该保护装置(70)包括下述中的至少一种:不导电胶、光致抗蚀剂、漆、涂料、或者由再熔玻璃料制成的玻璃层、或者氧化的金属层,优选地阳极化铝。
3.根据权利要求2的电致发光装置(10),其特征在于该保护装置(70)的不导电胶是无水和/或不含水的。
4.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于该封装装置(90)电连接到接触装置(60)。
5.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于该封装装置(90)包括导电气密馈通部(92);优选地该气密馈通部(92)与封装装置(90)电学绝缘。
6.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于该封装装置(90)包括导电接触区域(100);优选地该接触区域(100)与封装装置(90)电学绝缘。
7.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于该保护装置(70)包括用于散射由有机电致发光层(50)生成的光的至少一种散射装置(180);优选地该散射装置(180)嵌在保护装置(70)内。
8.根据任一前述权利要求的电致发光装置,其特征在于该保护装置(70)布置成具有内边缘和外边缘(71)的框住电致发光层叠层(50)的封闭轮廓,其中该对电极(30)部分地覆盖封闭轮廓(70),形成轮廓(70)的外边缘(71)和对电极(30)的边缘之间的相接的间隙(72),所述间隙足够大从而将该对电极(30)与衬底电极(20)隔离。
9.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于多个保护装置(70)布置在衬底电极(20)上。
10.根据任一前述权利要求的电致发光装置(10),其特征在于该对电极(30)被结构化为多个电学隔离的对电极节段(31),其中每个对电极节段(31)包括至少一个保护装置(70)。
11.一种用于保护电致发光装置(10)的衬底电极(20)的方法,其中
该电致发光装置(10)包括
在衬底(40)之上布置在衬底电极(20)和对电极(30)之间的具有至少一个有机电致发光层(50)的电致发光层叠层
以及至少封装该电致发光层叠层的封装装置(90),
该电致发光装置(10)包括用于使对电极(30)与电源电学接触的至少一个接触装置(60),
该方法包括步骤:
应用至少一个保护装置(70)于衬底电极(20)上,其中该保护装置(70)是不导电的并且至少完全覆盖接触装置(60)下方的区域。
12.使用保护装置(70)用于防止衬底电极(20)和对电极(30)之间的短路,该对电极设有至少一个接触装置(60)。
13.使用不导电胶作为保护装置(70)用于防止衬底电极(20)和对电极(30)之间的短路,该对电极设有至少一个接触装置(60)。
14.一种保护装置(70),其包括防止在衬底电极(20)上出现产生阴影的边缘的材料属性。
15.根据权利要求14的保护装置(70),其特征在于该材料属性为粘度,优选地在提升温度的粘度。
16.一种衬底,其被在根据权利要求1的电致发光装置(10)中用作衬底电极(20)的仅仅一个相接的电极(20)覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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