[发明专利]制造接触的方法、接触和包括接触的太阳能电池

权利要求书

1.用于提供一种结构(1)的方法，所述结构在包括硅衬底(2)、至少一个掺杂区(13)的太阳能电池的背表面上具有至少一个接触，其中所述方法包括以下步骤：

a)将钝化层(3)沉积到所述硅衬底(2)的所述背表面上，

b)提供至少一个接触部位，

c)提供构图的暴露的硅表面，

d)非选择性地沉积金属层(8)，

e)对所述结构(1)退火以形成金属硅化物(9)，

f)在步骤e)之后去除多余的金属(8)，

g)将金属施加到所述硅化物(9)上以形成至少一个接触(10)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于步骤b)和c)能够同时进行。

3.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于能够在步骤b)之前执行步骤c)。

4.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于步骤b)进一步包括：沉积具有至少一个开口(7)的反射层(6)，以及随后在所述至少一个开口(7)中提供所述接触部位。

5.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于步骤c)进一步包括：将反射层(6)沉积到所述钝化层(3)上。

6.根据权利要求1-3所述的方法，

其特征在于步骤a)包括沉积a-Si:H层(4)。

7.根据权利要求1-3所述的方法，

其特征在于步骤a)包括沉积a-Si:H层(4)以及然后在所述a-Si:H层(4)的顶部上沉积a-SiN_x:H层(5)。

8.根据权利要求1-3所述的方法，

其特征在于步骤a)包括沉积a-Si:H层(4)，然后在所述a-Si:H层(4)的顶部上沉积a-SiN_x:H层(5)，以及然后在所述a-SiN_x:H层(5)的顶部上沉积a-Si:H层(11)。

9.根据权利要求4-5所述的方法，

其特征在于所述反射层(6)是反射树脂层。

10.根据权利要求4-5所述的方法，

其特征在于所述反射层(6)是反射增强聚合物或反射增强环氧树脂。

11.根据权利要求4、5、9和10所述的方法，

其特征在于所述反射层(6)是通过喷墨或喷涂沉积的。

12.根据权利要求1至11所述的方法，

其特征在于步骤d)中金属层(8)中的金属是镍。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，

其特征在于通过蒸镀或溅镀执行步骤d)中的金属的施加。

14.一种用于太阳能电池的背表面的接触(10)，包括硅衬底(2)、沉积到所述硅衬底(2)上的非晶硅层(3)、沉积到所述非晶硅层(3)上的具有至少一个开口(7)的反射层(6)，在所述至少一个开口(7)中留存有硅化物(9)，用额外的金属覆盖所述硅化物(9)。

15.一种太阳能电池，包括背表面，所述背表面包括接触，其特征在于，通过如权利要求1-13中之一所述的方法在所述太阳能电池的所述背表面上提供所述接触(10)。

16.一种太阳能电池，包括背表面，所述背表面包括根据权利要求14所述的接触。

17.用于提供结构(1)的方法，所述结构在包括具有至少一个掺杂区(13)的硅衬底(2)的太阳能电池的背表面上具有至少一个接触，其中所述方法包括以下步骤：

a)将钝化层(3)沉积到所述硅衬底(2)上，

b)提供至少一个接触部位，

c)提供构图的暴露的硅表面，

d)非选择性地沉积金属层(8)，

e)对所述结构(1)退火以形成金属硅化物(9)，

f)将金属施加到所述硅化物(9)上以形成至少一个接触(10)。

18.根据权利要求17所述的方法，

其特征在于步骤b)和c)能够同时进行。

19.根据权利要求17所述的方法，

其特征在于步骤c)能够在步骤b)之前执行。