[发明专利]成膜装置和气体排出部件

权利要求书

1.一种成膜装置，其使处理气体在被加热的被处理基板上反应，在被处理基板的表面形成膜，该成膜装置的特征在于，包括：

收容被处理基板的处理容器；

在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；

对所述载置台上的被处理基板进行加热的加热机构；和

气体排出部件，其在所述处理容器内与所述载置台对向设置，向被处理基板排出所述处理气体，其中

所述气体排出部件具有在成膜温度下热膨胀率比所述膜高5×10^-6/℃以上的主体，和在所述主体的与所述载置台相对的面氧化处理主体而形成的厚度在10μm以上的氧化被膜。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述主体由铝或铝合金构成，所述氧化被膜是阳极氧化被膜。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜是高介电常数膜。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜选自氧化铪膜、硅酸铪膜、氧化锆膜、硅酸锆膜、氧化镧膜、硅酸镧膜、氧化钽膜、钛酸锶膜和氧化钇膜。

5.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述阳极氧化被膜的厚度在15μm以上。

6.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述氧化被膜的放射率在0.6以上。

7.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述氧化被膜的放射率与所述膜的放射率之差在0.1以下。

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于：

所述氧化被膜的放射率与所述膜的放射率之差在0.09以下。

9.一种成膜装置，其是使处理气体在被加热的被处理基板上反应，在被处理基板的表面形成膜的成膜装置，其特征在于，具备：

收容被处理基板的处理容器；

在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；

加热所述载置台上的被处理基板的加热机构；和

在所述处理容器内被设置与所述载置台相对的，向被处理基板排出所述处理气体的气体排出部件，

所述气体排出部件，由在成膜温度下的与所述膜的热膨胀率之差比5×10^-6/℃小的材料构成。

10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜是高介电常数膜。

11.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜，是从由氧化铪膜、硅酸铪膜、氧化锆膜、硅酸锆膜、氧化镧膜、硅酸镧膜、氧化钽膜、钛酸锶膜和氧化钇膜形成的组中选择的膜。

12.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于：

所述气体排出部件，从由Ti、Mo、Ta、W、HASTELLOY(注册商标)形成的组中选择的材料构成。

13.一种成膜装置，其使处理气体在被加热的被处理基板上反应，在被处理基板的表面形成膜，该成膜装置的特征在于，包括：

收容被处理基板的处理容器；

在所述处理容器内载置被处理基板的载置台；

对所述载置台上的被处理基板进行加热的加热机构；和

气体排出部件，其在所述处理容器内与所述载置台对向设置，向被处理基板排出所述处理气体，其中

所述气体排出部件具有主体，和在所述主体的与所述载置台相对的面上形成的被膜，所述被膜与所述膜的放射率之差在0.09以下。

14.如权利要求13所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜是高介电常数膜。

15.如权利要求14所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜选自氧化铪膜、硅酸铪膜、氧化锆膜、硅酸锆膜、氧化镧膜、硅酸镧膜、氧化钽膜、钛酸锶膜和氧化钇膜。

16.如权利要求15所述的成膜装置，其特征在于：

所述膜是氧化铪膜或硅酸铪膜。

17.如权利要求16所述的成膜装置，其特征在于：

所述被膜的放射率是0.081～0.099。