[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，包括：

在反应容器内部设置基底基板的阶段；以及

在所述反应容器内部供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气体、由含有5族元素的化合物构成的5族原料气体、以及含有被掺杂在半导体内成为施主的杂质的杂质气体，在所述基底基板上使p型3-5族化合物半导体结晶外延生长的阶段，

其中，在所述基底基板上使所述p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段中，以使所述p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm^-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm^-2)成为8.0×10¹¹以下的方式，设定所述杂质气体的流量、以及所述5族原料气体相对于所述3族原料气体的流量比。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，在使所述p型3-5族化合物半导体结晶外延生长于所述基底基板的阶段中，将所述5族原料气体相对于所述3族原料气体的流量比设定成50以下。

3.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，在所述基底基板上使所述p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段中，还以使用相接于所述p型3-5族化合物半导体上的活性层的肖脱基电极进行电容电压测量的每单位面积的残留电容成为不足0.5nF/cm²的方式设定所述杂质气体的流量、以及所述5族原料气体相对于所述3族原料气体的流量比。

4.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，在所述基底基板上使所述p型3-5族化合物半导体外延生长的阶段中，将所述5族原料气体和所述3族原料气体的流量差相对于所述杂质气体的流量的比设定成9.0×10⁶以下。

5.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其中，所述杂质气体包含从由Si、Se、Ge、Sn、S以及Te组成的元素组中选出的至少一种元素。

6.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，是在所述基底基板上，按照先层叠所述p型3-5族化合物半导体，再层叠活性层的顺序进行层叠而形成。

7.一种半导体基板，具有：

基底基板，以及

供给由3族元素的有机金属化合物构成的3族原料气体、由5族元素构成的5族原料气体、及含有被掺杂在半导体内成为施主的杂质的杂质气体，而在所述基底基板上外延生长的p型3-5族化合物半导体，

其中，所述p型3-5族化合物半导体的残留载流子浓度N(cm^-3)及厚度d(cm)的积N×d(cm^-2)是8.0×10¹¹以下。

8.根据权利要求7所述的半导体基板，其中，所述p型3-5族化合物半导体是以所述5族原料气体对所述3族原料气体之比为50以下的条件进行外延生长。

9.根据权利要求7所述的半导体基板，其中，在使用接触于所述p型3-5族化合物半导体上的活性层的肖脱基电极进行的电容电压测量中，每单位面积的残留电容为不足0.5nF/cm²。

10.根据权利要求7所述的半导体基板，所述p型3-5族化合物半导体以所述5族原料气体和所述3族原料气体的流量差相对于所述杂质气体的流量的比为9.0×10⁶以下的条件外延生长。

11.根据权利要求7所述的半导体基板，其中，作为施主杂质，包含从由Si、Se、Ge、Sn、S和Te构成的元素组中选择的至少一种元素。

12.根据权利要求7所述的半导体基板，在所述基底基板上，按照先层叠所述p型3-5族化合物半导体，再层叠活性层的顺序进行层叠而形成。