[发明专利]粘合薄膜以及半导体晶片加工用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及将半导体晶片切割成半导体芯片来制造半导体装置时使用的粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带。

现有技术

作为半导体装置的制造工序中所使用的半导体晶片加工用胶带，有人提出具有将胶粘剂层(管芯焊接薄膜)层叠于粘合薄膜(切割胶带)的结构的半导体晶片加工用胶带(例如，参照专利文献1)，且已经实用化。

半导体装置的制造工序中，将半导体晶片加工用胶带贴附于半导体晶片后，实施将半导体晶片使用切割刀片(dicing blade)切割(dicing)成芯片单元的工序；扩展半导体晶片加工用胶带的工序；从粘合剂层拾取经过切割的芯片及胶粘剂层的工序；通过附着于芯片的胶粘剂层将芯片安装至基板等的工序；以及在将粘接于基板等的芯片进行密封后使其通过回流焊焊炉的工序。

〔专利文献〕

〔专利文献1〕日本特开平02-32181号公报

发明内容

然而，对于上述专利文献1所记载的半导体晶片加工用胶带而言，从制造到使用之间的期间，如果粘合剂层与胶粘剂层的接触时间较长，则在使用前，两层会相互胶合，从而造成在拾取切割后的芯片时，有时会以粘合剂附着于胶粘剂层的状态进行拾取。若在该种状态下，将粘接于基板等的芯片密封后再通过回流焊焊炉时，有发生回流焊裂痕的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，其中，即使在粘合剂层与胶粘剂层发生胶合，拾取芯片时在粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。

为了解决上述课题，本发明的粘合薄膜的特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。

此外，本发明的粘合薄膜的特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于半导体晶片加工，其中，由差热分析测得的260℃时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。

此外，为了解决上述课题，一种半导体晶片加工用胶带的特征在于，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。

此外，一种半导体晶片加工用胶带的特征在于，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的260℃时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。

此外，本发明的半导体晶片加工用胶带中，粘合剂层的重均分子量为100万以上。

此外，本发明的半导体晶片加工用胶带中，粘合剂层含有光聚合引发剂，所述光聚合引发剂的热分解开始温度为260℃以上。

发明的效果

本发明的粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，即使在拾取芯片时，于粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。

附图说明

〔图1〕是本发明的半导体晶片加工用胶带的一例的剖面图。

〔图2〕(a)是表示将半导体晶片W及环框贴合于半导体晶片加工用胶带的状态下的剖面图，(b)是切割后的半导体晶片加工用胶带及半导体晶片的剖面图，(c)是扩展后的半导体晶片加工用胶带及半导体晶片的剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图，针对本发明的实施方式进行详细说明。

本实施方式的半导体晶片加工用胶带15，如图1所示，为具有于基材薄膜11上层叠着粘合剂层12的粘合薄膜14，且在粘合剂层12上层叠着胶粘剂层13的切割管芯焊接薄膜。此外，粘合剂层12及胶粘剂层13，也可相应于使用工序及装置，而预先切割(预切)成特定形状。层叠对应于晶片W(参照图2(a))而预切后的胶粘剂层13时，用于贴合晶片W的部分有胶粘剂层13，用于贴合切割用环框(ring flame)20(参照图2(a))的部分则无胶粘剂层13而只存在着粘合剂层12。一般而言，因为胶粘剂层13不易被从被粘附体剥离，使用预切后的胶粘剂层13，能够将环框20贴合于粘合剂层12，从而可获得在使用后的环框20不易产生残胶的效果。此外，本发明的半导体晶片加工用胶带15，包括切割成的一张张晶片层叠的状态和将形成了多个晶片的长条状片材卷绕成辊状的状态。以下，分别针对基材薄膜11、粘合剂层12、及胶粘剂层13进行详细说明。

<基材薄膜>