[发明专利]半导体驱动装置

权利要求书

1.一种半导体驱动装置，其特征在于，包括：

接通驱动电路，包括正向偏置电源、第一开关元件以及用于接通半导体元件的接通栅极电阻；以及

关断驱动电路，包括反向偏置电源、第二开关元件以及用于关断所述半导体元件的关断栅极电阻，其中，

所述正向偏置电源和反向偏置电源被串联连接，

由热接合于所述接通栅极电阻的第一热敏电阻与第一电阻串联连接而成的第一串联电路，连接于所述正向偏置电源的正极与所述反向偏置电源的负极之间、或者所述正向偏置电源的正极与负极之间，

由热接合于所述关断栅极电阻的第二热敏电阻与第二电阻串联连接而成的第二串联电路，连接于所述正向偏置电源的正极与所述反向偏置电源的负极之间、或者所述反向偏置电源的正极与负极之间，其中，

提供有当所述接通栅极电阻和关断栅极电阻中的任一个电阻的所述温度上升至等于或者大于预定值时关断所述第一或者第二开关元件的单元。

2.根据权利要求1所述的半导体驱动装置，其特征在于，

关断所述第一开关元件的所述单元是第三开关元件，其中，

控制端子连接于第一串联电路的内部连接点，

在所述第一串联电路中，所述第一热敏电阻的一端连接于所述正向偏置电源的所述正极且所述第一电阻的一端连接于所述反向偏置电源的所述负极，

一个主端子连接于所述正向偏置电源的所述正极，且另一个主端子连接于所述第一开关元件的控制端子。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体驱动装置，其特征在于，

关断所述第二开关元件的所述单元是第四开关元件，其中，

控制端子连接于第二串联电路的内部连接点，

在所述第二串联电路中，所述第二热敏电阻的一端连接于所述反向偏置电源的所述负极且所述第二电阻的一端连接于所述正向偏置电源的所述正极，

一个主端子连接于所述反向偏置电源的所述负极，且另一个主端子连接于所述第二开关元件的控制端子。

4.根据权利要求1至3中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

所述第三开关元件是P-沟道型的MOSFET。

5.根据权利要求1至3中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

所述第三开关元件是PNP型的晶体管。

6.根据权利要求1至5中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

二极管连接于所述第三开关元件的主端子与所述第一开关元件的所述控制端子之间，

光电耦合器的初级端子与电阻的串联电路连接于所述第三开关元件的主端子和二极管的连接点与所述反向偏置电源的所述负极之间、或者所述第三开关元件的主端子和二极管的连接点与所述正向偏置电源的所述负极之间。

7.根据权利要求1至6中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

所述第四开关元件是N-沟道型的MOSFET。

8.根据权利要求1至6中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

所述第四开关元件是PNP型的晶体管。

9.根据权利要求1至8中任一个所述的半导体驱动装置，其特征在于，

二极管连接于所述第四开关元件的主端子与所述第二开关元件的所述控制端子之间，

光电耦合器的初级端子与电阻的串联电路连接于所述二极管和第四开关元件的所述连接点与所述正向偏置电源的所述正极之间、或者所述二极管和第四开关元件的所述连接点与所述反向偏置电源的所述正极之间。

10.一种半导体驱动装置，其特征在于，包括：

接通驱动电路，包括正向偏置电源、第一开关元件以及用于接通半导体元件的接通栅极电阻；以及

关断驱动电路，包括反向偏置电源、第二开关元件以及用于关断所述半导体元件的关断栅极电阻，其中，

所述正向偏置电源和反向偏置电源被串联连接，

第一热敏电阻与所述第一开关元件串联连接，第二热敏电阻与所述第二开关元件串联连接，其中，

提供有当所述第一热敏电阻和第二热敏电阻中的任一个电阻的所述温度上升至等于或者大于预定值时关断所述第一或者第二开关元件的单元。