[发明专利]高分子片材及其制造方法

权利要求书

1.一种高分子片材，其以高分子纳米晶体为主体，其特征在于，

可以满足下述(I)、(II)和(III)的条件，即：

(I)结晶度为70％以上；

(II)拉伸破坏强度为100MPa以上，且拉伸弹性率为3GPa以上；

(III)平均厚度为0.15mm以上。

2.如权利要求1所述的高分子片材，其中，

所述高分子为聚烯烃。

3.如权利要求1所述的高分子片材，其中，

所述高分子为聚丙烯。

4.如权利要求3所述的高分子片材，其中，

通过试样尺寸直读法测定的耐热温度为160℃以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的高分子片材，其中，

通过雾度(透明性)测定法测定的雾度值(厚度0.3mm)为10％以下。

6.如权利要求3～5中任一项所述的高分子片材，其中，

含有由平行排列的纳米取向晶体构成的直径300nm以下的棒状高次结构。

7.如权利要求3～6中任一项所述的高分子片材，其中，

在晶体结构中，含有α₂分率为0.3以上的纳米取向晶体，所述α₂分率表示高有序度相即α₂相的体积分率。

8.如权利要求3～7中任一项所述的高分子片材，其中，

所述高分子片材含有取向函数f_c为0.7以上的纳米取向晶体，所述取向函数f_c表示晶体内高分子链的取向度。

9.如权利要求1～8中任一项所述的高分子片材，其中，

如下制造所述高分子片材，即，将过冷状态下的高分子的熔体夹在一对夹持轧辊，以临界伸长应变速度以上的伸长应变速度进行轧制伸长，并使其结晶化。

10.如权利要求9所述的高分子片材，其中，

当将所述夹持轧辊的半径设为R、将轧制伸长后的高分子片材的平均厚度设为L、将夹持轧辊的片材引出速度设为V、将片材厚度方向的平均伸长应变速度设为ε(R，L，V)时，

通过以片材厚度方向的平均伸长应变速度ε(R，L，V)为临界伸长应变速度ε^*(R，L，V)以上的方式使用下述近似式(式i)设定夹持轧辊的半径R、轧制伸长后的高分子片材的平均厚度L、及夹持轧辊的片材引出速度V，制造高分子片材。

(式i)

[数1]

ϵ(R,L,V)=VRL]]>

11.如权利要求10所述的高分子片材，其中，

所述临界伸长应变速度ε^*(R，L，V)用下述近似式(式ii)算出：

(式ii)

[数2]

ϵ*(R,L,V)=V*RL]]>

其中，所述临界点的片材引出速度V^*是供给过冷状态下的高分子熔体，通过夹在半径为R的一对夹持轧辊并将该高分子的熔体以片材引出速度V进行轧制伸长，使其向由纳米取向晶体构成的厚度L的高分子片材进行结晶化时结构完全改变的临界点的片材引出速度V。