[发明专利]光电转换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，具有：

基板；

设置于所述基板上且包含金属元素的多个下部电极；

分别设置于所述多个下部电极上且包含硫属化合物半导体的多个光电转换层；

分别设置于所述多个光电转换层上的多个上部电极；以及

在相邻的所述光电转换层之间，将一方的所述上部电极与另一方的所述下部电极电连接的连接导体；

其中，所述连接导体具有经由第一金属硫属化合物层与所述下部电极连接的第一连接部和未经由所述第一金属硫属化合物层而与所述下部电极连接的第二连接部，所述第一金属硫属化合物层包含所述金属元素及所述硫属化合物半导体所含有的硫属元素。

2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述连接导体是金属膏的固化物。

3.如权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，在所述上部电极上设置有与所述连接导体连接的集电电极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，在俯视所述基板时，所述第一连接部的面积比所述第二连接部的面积小。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，在所述下部电极和所述光电转换层之间，还具有包含所述金属元素及所述硫属元素的第二金属硫属化合物层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，所述下部电极在所述连接导体侧的表面具有凹部，所述第一连接部及所述第二连接部中的至少一方位于所述凹部内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，在位于相邻的所述光电转换层之间的所述下部电极的、与所述基板相反的一侧的表面上，还设置有包含所述金属元素及所述硫属元素的第三金属硫属化合物层。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，所述连接导体在设置于所述光电转换层内的细长形状的间隙部中配置，

所述第一金属硫属化合物层沿着所述间隙部的长度方向而设置。

9.如权利要求8所述的光电转换装置，其特征在于，所述第一金属硫属化合物层设置于沿着所述间隙部的长度方向的端部。

10.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：

在设置有包含金属元素的多个下部电极的基板上，形成硫属化合物半导体的前体的步骤；

通过对所述前体进行加热，在所述下部电极上形成包含所述金属元素和所述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的第一金属硫属化合物层，并且在所述第一金属硫属化合物层上形成包含所述硫属化合物半导体的光电转换层的步骤；

在所述光电转换层上形成上部电极的步骤；

在所述下部电极上，将所述第一金属硫属化合物层的一部分、所述上部电极及所述光电转换层除去的步骤；以及

以将所述上部电极与所述下部电极相连接的方式形成连接导体的步骤；

其中，在形成所述连接导体的步骤中，形成经由所述第一金属硫属化合物层与所述下部电极连接的第一连接部及未经由所述第一金属硫属化合物层而与所述下部电极连接的第二连接部。

11.如权利要求10所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

通过机械刻划加工来进行在所述下部电极上除去所述第一金属硫属化合物层的一部分、所述光电转换层及所述上部电极的步骤。