[发明专利]半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201080003041.6 | 申请日： | 2010-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102197155A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;山越康广;伊藤顺一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C27/04;C23C14/14;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 布线 阻挡 烧结 溅射 制造 方法 | ||
1.一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成。
2.一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。
3.如权利要求2所述的烧结体溅射靶，其特征在于，溅射靶具有W基质，该W基质中分散有2～40μm的Ni粒子。
4.如权利要求3所述的烧结体溅射靶，其特征在于，在W基质中分散有2～5μm的Ni粒子和20～40μm的Ni粒子。
5.如权利要求3或4所述的烧结体溅射靶，其特征在于，在W基质中存在的Ni粒子为WNi粒子。
6.如权利要求2～5中任一项所述的烧结体溅射靶，其特征在于，除气体成分以外的纯度为4N5以上。
7.如权利要求6所述的烧结体溅射靶，其特征在于，作为气体成分的氧为1000重量ppm以下、碳为50ppm以下。
8.如权利要求7所述的烧结体溅射靶，其特征在于，作为气体成分的氧为500重量ppm以下。
9.如权利要求2～8中任一项所述的烧结体溅射靶，其特征在于，相对密度为95.0％以上。
10.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，以达到WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的配合比的方式将平均粒径1～5μm的W粉末与平均粒径1～30μm的Ni粉末进行混合，将所得混合粉末通过在10～50MPa的施加压力、1300～1600℃的温度下热压进行烧结。
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