[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一电极；

第二电极；以及

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的非晶硅层，

其中，所述非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×10²²/cm³至9.4×10²²/cm³。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.8×10²²/cm³至9.0×10²²/cm³。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述非晶硅层中的Si-Si键的密度大于所述非晶硅层中的Si-H键的密度。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述非晶硅层中的Si-H键的密度大于悬挂键的密度。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

基板，其连接到所述第一电极；以及

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光电转换单元，该光电转换单元包括所述非晶硅层。

6.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

基板；

所述基板上的第一电极；

第二电极；以及

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光电转换单元，该光电转换单元包括由非晶硅形成的p型半导体层、由非晶硅形成的本征半导体层即i型半导体层、以及由非晶硅形成的n型半导体层，

其中，所述p型半导体层、所述i型半导体层和所述n型半导体层中的至少一层中的Si-Si键的密度是7.48×10²²/cm³至9.4×10²²/cm³。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述p型半导体层、所述i型半导体层和所述n型半导体层中的至少一层中的Si-Si键的密度是7.8×10²²/cm³至9.0×10²²/cm³。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述p型半导体层和所述n型半导体层中的至少一层中的Si-Si键的密度小于所述i型半导体层中的Si-Si键的密度。

9.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

基板；

所述基板上的第一电极；

第二电极；

设置在所述第一电极与所述第二电极之间的第一光电转换单元，该第一光电转换单元包括由非晶硅形成的第一本征半导体层即i型半导体层，所述第一i型半导体层中的Si-Si键的密度是7.48×10²²/cm³至9.4×10²²/cm³；以及

设置在所述第一光电转换单元与所述第二电极之间的第二光电转换单元，该第二光电转换单元包括由微晶硅形成的第二i型半导体层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一i型半导体层中的Si-Si键的密度是7.8×10²²/cm³至9.0×10²²/cm³。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第一光电转换单元包括由非晶硅形成的第一p型半导体层和由非晶硅形成的第一n型半导体层，并且

所述第二光电转换单元包括由微晶硅形成的第二p型半导体层和由微晶硅形成的第二n型半导体层。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述第一p型半导体层和所述第一n型半导体层中的至少一层中的Si-Si键的密度小于所述第一i型半导体层中的Si-Si键的密度。

13.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，所述第二i型半导体层的厚度大于所述第一i型半导体层的厚度。

14.根据权利要求9所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括设置在所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间的中间层。